后纳米级晶体管时代来临?一场“用尽元素周期表”的战争
芯东西12月24日报道,随着芯片制程演进愈加艰难,晶体管微缩正面临物理极限的天花板。但英特尔、东京电子等芯片供应链巨头已将制程路线图推进到埃米一级(1Å=0.1nm=10^-10m),甚至计划在原子级
晶体管发明往事:误打误撞,反目成仇,共享诺贝尔奖
晶体管是如何工作的?发明者自己也不清楚……这真的没开玩笑。这两天IEEESpectrum发布一篇文章,关于晶体管诞生始末,其中披露:当年科学家确实仅仅实现电路定向导通效果,就对外公布了成果。甚至十年过
2022-12-21 资讯 我要分享重大突破!清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管:等效 0.34nm
感谢最新网友肖战割割的线索投递!最新3月12日消息,据清华大学官方宣布,近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的
半导体制程发展史 一看便懂
导读:半导体制造工艺节点是如何演进的?晶体管的架构是怎样发展成如今模样的?下面告诉你...半导体制造的工艺节点,涉及到多方面的问题,如制造工艺和设备,...
罗姆开发出功耗降低 20% 的小型晶体管
最新12月27日消息,罗姆(ROHM)株式会社是全球知名的半导体厂商之一,也是第一家进入美国硅谷的日本企业。据日本经济新闻,罗姆现开发出了一种电力损耗比此前减少2成的小型晶体管。与传统晶体管相比,这种
2023-01-06 资讯 我要分享DIY一个晶体管 你愿意接受挑战吗?
我在网络上看到一些业余爱好者自己动手做(DIY)晶体管,例如Neil Steiner与Jim等人。其中,最引人注意的自制晶体管来自一位懂半导体组件物理的工匠Jeri Ellswo...
索尼:全球首发双层晶体管像素堆叠式 CMOS 图像传感器技术,扩大动态范围并降低噪点
最新12月16日消息,今天,索尼半导体解决方案宣布其已成功开发出全球首个双层晶体管像素堆叠式CMOS图像传感器技术,饱和信号量约提升至2倍,使动态范围扩大并降低噪点。传统CMOS图像传感器的光电二极管
复旦大学研发出晶圆级硅基二维互补叠层晶体管,集成度翻倍并实现卓越性能
最新12月11日消息,众所周知,传统集成电路技术使用平面展开的电子型和空穴型晶体管形成互补结构,从而获得高性能计算能力,但这种晶体管密度的提高主要是靠缩小单元晶体管的尺寸来实现。例如,大家最常见的案例
2022-12-21 资讯 我要分享晶体管,到底是谁发明的
大家新年好,我是小枣君。春节后的第一篇原创文章,我来填个坑,把年前那篇《什么是电子管(真空管)》(链接)的续集写完,也就是今天这篇--《什么是晶体管》。在上篇文章中,我给大家提到,电子管虽然能够实现检
2023-02-12 资讯 我要分享爱尔兰科学家开发出业内首款非节型晶体管
爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管,并称此项发明对10nm级别制程意义重大,可大大简化晶体管的制造...
英特尔 Ann Kelleher:摩尔定律本质是创新,创新将永不止步
1965年,英特尔的联合创始人戈登・摩尔预测,单个芯片上的晶体管数量大约每两年翻一番,而成本只会有极小的增加。该预测被称为摩尔定律,如图1所示。单个设备上的晶体管或组件越多,在单个设备性能提升的同时,
三星计划在2021年推出3nm全栅晶体管
三星电子计划于2021年推出FinFETS晶体管架构的后继产品,采用3纳米工艺节点的全栅晶体管(gate-all-around ,GAA)。这家韩国巨头还在本周二(5月22日)年度...
英特尔 3D 封装技术密度再提升 10 倍,目标 2030 年打造出万亿晶体管芯片
感谢最新网友OC_Formula、华南吴彦祖的线索投递!最新12月5日消息,在近日的IEDM2022(2022IEEE国际电子器件会议)上,英特尔发布了多项突破性研究成果,以在未来十年内持续推进摩尔定
2022-12-21 资讯 我要分享英伟达公布 RTX 40 显卡三款 GPU 晶体管数量:AD104 超上代旗舰 GA102
感谢最新网友OC_Formula的线索投递!最新9月23日消息,英伟达日前发布的RTX4090、408016GB和408012GB分别搭载了AD102、AD103和AD104GPU。据VideoCar
2022-12-21 资讯 我要分享