中科院微电子所研发出高性能单晶硅沟道 3D NOR 储存器
感谢最新网友情系半生nh的线索投递!最新11月16日消息,据中科院官网,微电子所研发出高性能单晶硅沟道3DNOR储存器。NOR闪存以速度快、可靠性高和使用寿命长等优势,在人工智能、汽车电子和工业领域中
2022-12-21 资讯 我要分享豪威集团发布业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET,专为手机锂电池电路保护设计
感谢最新网友OC_Formula的线索投递!最新6月28日消息,MOSFET是一种在电池包装中的安全保护开关,近日,豪威集团全新推出两款MOSFET:业内最低内阻双N沟道MOSFETWNMD2196A
2022-12-19 资讯 我要分享半导体制程发展史 一看便懂
导读:半导体制造工艺节点是如何演进的?晶体管的架构是怎样发展成如今模样的?下面告诉你...半导体制造的工艺节点,涉及到多方面的问题,如制造工艺和设备,...
西安交大团队超临界流体低温退火工艺研究成果在 IEDM 发表,有效制备高性能 SiC MOSFET 器件
为解决SiCMOSFET栅氧层界面质量差导致沟道迁移率低,使得沟道开态电阻过高,能源转换效率严重受限的技术瓶颈问题。西安交通大学微电子学院耿莉教授、刘卫华教授团队与西安电子科技大学郝跃院士共同合作,提
爱尔兰科学家开发出业内首款非节型晶体管
爱尔兰丁铎尔国家研究院的科学家最近宣称他们成功制出了业内首款非节型晶体管,并称此项发明对10nm级别制程意义重大,可大大简化晶体管的制造...
瑞海吴宁海:行业+AI 发现电力领域新蓝海
如今人工智能创业公司很多,其多数的模式是技术专家主导。即尽力打造最优秀的技术团队,注重研究最基础的算法和架构。对于这些公司来说,应用场景的落地是...
重大突破!清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管:等效 0.34nm
感谢最新网友肖战割割的线索投递!最新3月12日消息,据清华大学官方宣布,近日,清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破,首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管,并具有良好的
收藏 半导体一些术语的中英文对照
半导体产业作为一个起源于国外的技术,很多相关的技术术语都是用英文表述。且由于很多从业者都有海外经历,或者他们习惯于用英文表述相关的工艺和技术节点,...
详细解读7nm制程 看半导体巨头如何拼了老命为摩尔定律延寿
谈起半导体技术的发展,总是回避不了“摩尔定律”这四个字——当价格不变时,集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18~24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍...
零漂移放大器:特性和优势
作者:德州仪器 Errol Leon, Richard Barthel, Tamara Alani引言零漂移放大器采用独特的自校正技术,可提供适用于通用和精密应用的超低输入失调电压(Vos)和...