天科合达发布 8 英寸碳化硅衬底新产品,明年导电型将小规模量产
感谢最新网友航空先生的线索投递!最新12月2日消息,北京天科合达半导体近期发布了"8英寸导电型碳化硅衬底"新产品。该公司介绍了"8英寸导电型碳化硅衬底"新产品各项关键技术参数指标,并宣布将于2023年
2022-12-21 资讯 我要分享丰田合成成功研制出 6 英寸氮化镓 GaN 衬底:打破尺寸纪录,可降低器件生产成本
最新3月17日消息,据businesswire报道,丰田合成ToyodaGosei与大阪大学合作,成功研制出了6英寸的氮化镓GaN衬底。GaN功率器件广泛用于工业机械、汽车、家用电子等领域,随着全球碳
意法半导体与 Soitec 合作开发碳化硅衬底制造技术:将打造 8 英寸 SiC 晶圆
最新12月22日消息,意法半导体(简称ST)和半导体材料设计制造公司Soitec宣布了下一阶段的碳化硅(SiC)衬底合作计划,由意法半导体在今后18个月内完成对Soitec碳化硅衬底技术的产前认证测试
2023-01-05 资讯 我要分享新制造工艺:有望实现高速低功耗光电子芯片
导读近日,美国波士顿大学、麻省理工学院、加州大学伯克利分校、科罗拉多大学波尔得分校科研人员组成的团队开发一种新的制造方案,在块状硅衬底上,让光子器...
苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片 5 万片
集微网消息,8月10日,苏州纳维科技研发和生产总部大楼封顶。据悉,该项目于2021年1月27日奠基,项目占地面积超14000平方米,总建筑面积超34000平方米,将建设成为国际前三的氮化镓(GaN)单
2022-09-13 资讯 我要分享铭镓半导体实现 4 英寸氧化镓晶圆衬底技术突破
感谢最新网友鸽以咏志的线索投递!最新12月9日消息,北京铭镓半导体有限公司近期使用导模法成功制备了高质量4英寸(001)主面氧化镓(β-Ga2O3)单晶,完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,并且进行了
2022-12-21 资讯 我要分享宽禁带半导体 GaN 单晶衬底等 21 个重大项目签约苏州高新区
集微网消息,5月16日,苏州高新区举行2022年苏州科技城重大项目集中云签约仪式,本次集中签约项目共21个,涵盖了软件和信息技术、高端医疗器械、高端智能装备、集成电路等高新区重点产业领域。其中,重大创
2022-12-19 资讯 我要分享大陆半导体材料市场快速增长:硅产业体系逐渐完善 化合物半导体产业体系初现
全文字数:2399阅读时间:6分钟从材料领域来看,大陆半导体材料行业由于起步较晚,且受到技术、资金、以及人才的限制,与国外仍存在着很大差距。但是,伴随着...
如何用物理的方法制作一个千层蛋糕
俗话说,民以食为天。不只不觉兔年的春节已经结束,想必这些日子,小伙伴们享受了各种美食吧!年夜饭对于小编来说,享受美食就是最幸福的事情!而众所周知,烹饪食物的方法千变万化:煎、炒、烹、炸、蒸;煮、炖、煲
2023-02-12 资讯 我要分享中国机构已实现碳化硅(SiC)全产业链专利布局
集微网消息,专利分析机构Knowmade日前发布针对碳化硅(SiC)产业链知识产权的报告,从衬底、外延到器件、模块各环节梳理了不同国家厂商与研究机构专利布局。Knowmade指出,在价值极高的衬底领域
2022-07-02 资讯 我要分享中国机构已实现碳化硅(SiC)全产业链专利布局
集微网消息,专利分析机构Knowmade日前发布针对碳化硅(SiC)产业链知识产权的报告,从衬底、外延到器件、模块各环节梳理了不同国家厂商与研究机构专利布局。Knowmade指出,在价值极高的衬底领域
2022-12-19 资讯 我要分享国产三代半导体材料新突破,中科院成功制备 8 英寸碳化硅晶体
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,在功率半导体等领域具有巨大应用潜力,但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题,碳化硅单晶衬底在器件成本中占比也高达近50%。近期,中科院物理研究所科研人员通过优化生
解密台积电集成封装新技术,可显著降低芯片制造成本
据业内人士透露,台积电已针对数据中心市场推出了其新型先进封装技术--COUPE异构集成技术。电子信令和处理是信号传输和处理的主流技术。近年来,尤其由于信号传输的有关光纤应用的使用,光学信令和处理已经用
PPT 质感卡片教程
原文标题:《它来了!你期待的PPT质感卡片的教程来啦~》先来看看整体效果:如果你刚好在电脑前,可以打开PPT边看边操作哦~第一页第一步:先制作浅黄色的背景。绘制两个圆形,分别填充绿色和黄色。分别添加柔
2022-12-21 资讯 我要分享从梦想到引领 RF-SOI赋能射频技术变革
全文字数:4024阅读时间:7分钟文|乐川校对|范蓉图源|网络集微网消息,今年9月,新傲科技协同SOI国际产业联盟等联合举办的第六届国际RF-SOI论坛在上海举行...