三星eUFS:Samsung宣布首款1TB eUFS 2.1投入量产储存容量新局面

导读: 三星的处理器我们也是很看好的,而它每一次也可以给我们带来惊喜,这一次Samsung 宣布首款 1TB eUFS 2.1投入量产,为手机储存容量打开新的局面。 伴随着智慧型手机的迅速发展,包括相机画质的进化、网路内容解析度的提升,消费者对手机内建储存容量的需求越

三星的处理器我们也是很看好的,而它每一次也可以给我们带来惊喜,这一次Samsung 宣布首款 1TB eUFS 2.1投入量产,为手机储存容量打开新的局面。

伴随着智慧型手机的迅速发展,包括相机画质的进化、网路内容解析度的提升,消费者对手机内建储存容量的需求越来越高,从过去最一般的8GB、16GB 到现在许多旗舰机型选用的256GB、512GB,但对于使用者来说容量永远都不够,今日(1/30)Samsung 正式宣布将开始量产1TB eUFS 2.1(embedded Universal Flash Storage),未来手机容量将得到更大的提升。

Samsung 在其官方网站上宣布业界首款容量高达1TB 的eUFS 2.1 将投入量产,这款基于第五代V-NAND 技术所打造,容量达到64GB 版本的20 倍,速度则达到典型microSD 记忆卡的10 倍之多。在同样尺寸的封装内,1TB eUFS 较过去的512GB 版本容量高出一倍,以16 层堆叠Samsung 最新的512Gb V-NAND 快闪记忆体与调控器,智慧型手机使用者可以储存260 个10 分钟4K UHD 高解析度影片,相较于目前一般手机高出20 倍。

 

1TB eUFS 2.1 在读写速度上相当出色,使用者可在极短的时间内传输大量多媒体内容,新的eUFS 速度高达1000 MB / s ,是传统2.5 吋SATA 硬碟(SSD)连续读取速度的两倍,这表示将5GB 大小的FHD 影片从NVMe SSD 复制出来所需时间仅5 秒以内,是传统microSD 卡速度的10 倍。此外,随机读取速度也较 512GB 版本提高了38%,最高可达 58,000 IOPS;随机写入比高效能 microSD 卡(100 IOPS)快 500 倍,最高可达 50,000 IOPS。

▲效能比较

这款最新的大容量eUFS 预计在2019 年上半于韩国的Pyeongtaek 工厂扩大其第五代512Gb V-NAND的产量,以满足全球行动装置制造商对1TB eUFS 的需求,看起来手机容量超越1TB 的将来近在咫尺。