三星eUFS：Samsung宣布首款1TB eUFS 2.1投入量产储存容量新局面
2019-01-30 15:01
三星的处理器我们也是很看好的，而它每一次也可以给我们带来惊喜，这一次Samsung 宣布首款 1TB eUFS 2.1投入量产，为手机储存容量打开新的局面。
伴随着智慧型手机的迅速发展，包括相机画质的进化、网路内容解析度的提升，消费者对手机内建储存容量的需求越来越高，从过去最一般的8GB、16GB 到现在许多旗舰机型选用的256GB、512GB，但对于使用者来说容量永远都不够，今日（1/30）Samsung 正式宣布将开始量产1TB eUFS 2.1（embedded Universal Flash Storage），未来手机容量将得到更大的提升。
Samsung 在其官方网站上宣布业界首款容量高达1TB 的eUFS 2.1 将投入量产，这款基于第五代V-NAND 技术所打造，容量达到64GB 版本的20 倍，速度则达到典型microSD 记忆卡的10 倍之多。在同样尺寸的封装内，1TB eUFS 较过去的512GB 版本容量高出一倍，以16 层堆叠Samsung 最新的512Gb V-NAND 快闪记忆体与调控器，智慧型手机使用者可以储存260 个10 分钟4K UHD 高解析度影片，相较于目前一般手机高出20 倍。
1TB eUFS 2.1 在读写速度上相当出色，使用者可在极短的时间内传输大量多媒体内容，新的eUFS 速度高达1000 MB / s ，是传统2.5 吋SATA 硬碟（SSD）连续读取速度的两倍，这表示将5GB 大小的FHD 影片从NVMe SSD 复制出来所需时间仅5 秒以内，是传统microSD 卡速度的10 倍。此外，随机读取速度也较 512GB 版本提高了38％，最高可达 58,000 IOPS；随机写入比高效能 microSD 卡（100 IOPS）快 500 倍，最高可达 50,000 IOPS。
▲效能比较
这款最新的大容量eUFS 预计在2019 年上半于韩国的Pyeongtaek 工厂扩大其第五代512Gb V-NAND的产量，以满足全球行动装置制造商对1TB eUFS 的需求，看起来手机容量超越1TB 的将来近在咫尺。
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