高通X55基带:高通5G基带芯片第二代Snapdragon X55高通X55基带

导读: 高通又发布了一款可用于5G的晶片,就是 Snapdragon X55。 新款Snapdragon X55采用更小制程、更小电功耗表现,意味Qualcomm提出的新款5G连网机种设计,可以套用在厚度更轻薄手机产品,并且延长装置电力使用时间。此次宣布推出的Snapdragon X55数据晶片,将先

高通又发布了一款可用于5G的晶片,就是Snapdragon X55。新款Snapdragon X55采用更小制程、更小电功耗表现,意味Qualcomm提出的新款5G连网机种设计,可以套用在厚度更轻薄手机产品,并且延长装置电力使用时间。此次宣布推出的Snapdragon X55数据晶片,将先针对合作伙伴提供测试样品,预计会在今年内宣布推出正式商用产品,或许最快会在今年下半年推出。

Qualcomm接续宣布推出第二款5G连网数据晶片Snapdragon X55,主要将Snapdragon X50采用的10nm FinFET制程技术进展至7nm FinFET制程,借此与同样以7nm FinFET制程打造的Snapdragon 855处理器在电力功耗匹配。

 

原本以为Qualcomm在今年将会以对应毫米波(mmWave)与6GHz以下频段的Sanpdragon X50数据晶片,搭配更轻薄设计的连网天线模组对应5G连网需求,但稍早Qualcomm则是确认将推出全新第二款5G连网数据晶片Snapdragon X55,在Snapdragon X50设计基础上加入支援高达7Gbps下载速度表现,比起Snapdraogn X50数据晶片对应最高5Gbps下载速度表现提升许多,分别对应TDD与FDD两种运作模式,并且相容NSA非独立组网与SA独立组网连接模式。

而Snapdragon X55数据晶片在4G LTE连接表现也同样有所提升,支援高达2.5Gbps下载表现,几乎是Snapdragon X50数据晶片可达5G连网速度一半左右,对应LTE Cat.22规格、7相载波聚合,并且支援4×4 MIMO及256-QAM天线连接。

此外,相比Snapdragon X50数据晶片采用7nm FinFET制程设计,Snapdragon X55数据晶片采用的是7nm FinFET制程,因此预期能有更低耗电与发热表现,并且可配合同样以7nm FinFET制程打造的Snapdragon 855处理器使用。

同时,Qualcomm也宣布推出全新连网天线模组QTM525,不但可应用在8mm厚度机身设计,并且能在机身上下、左右各配置一组,借此加强手机在5G连网使用表现,在连网频段部分更在28GHz与39GHz规格基础上,额外新增支援26GHz频段,让手机在5G连网表现更可对应全球连接需求,分别支援北美、日本、欧洲、韩国、澳洲地区电信业者所提出5G连网技术规格。

除了针对终端装置设计需求提出全新5G应用设计方案,Qualcomm也针对连接需求提出全新5G包覆追踪解决方案QET6100,以及自动天线谐调解决方案QAT3555,借此改善室内网路覆盖率,并且藉由更小封装设计让设备商能以此类解决方案打造产品。

依照Qualcomm说明,5G连网解决方案之所以设计困难,在于必须支持不同地区采用5G连网技术,其中包含不同的5G网路使用频谱、不同布署方式,甚至必须向下相容现有的4G LTE连网技术,另外也不仅需要解决装置端的连接模式,更要设法改善从装置端到连接端,以及扩展到更大连接范围应用模式,加上更多元化的使用场景,使得5G连网技术发展相对复杂。

目前Qualcomm所推出的5G连网数据晶片,已经可以对应全球多模使用需求,并且支援毫米波、6GHz以下频段,支援各地区电信业者使用技术规范,另外也与全球超过20家电信业者、20家OEM厂商合作,借此打造更大5G连网生态。

随着Snapdragon X55问世,显然Qualcomm希望在5G连网应用竞争上,再次与三星推行的Exynos Modem 5100、Intel打造的XMM 8160、华为推出的Balong 5000,以及联发科预计推出的Helio M70数据晶片持续拉开距离,进而在5G连网应用发展维持领先脚步。

另一方面,从新款Snapdragon X55采用更小制程、更小电功耗表现,意味Qualcomm提出的新款5G连网机种设计,可以套用在厚度更轻薄手机产品,并且延长装置电力使用时间,似乎也代表Qualcomm将能以此向苹果喊声,呼吁双方可在5G连网需求再次恢复合作。