三星10nm级DDR4内存工艺制程研发成功,EUV光刻技术发展态势

2019-03-22 10:03

导读: 三星品牌的口碑一直存在于大众,对于三星你了解多少呢,近期三星又开发出了 第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,让我们一起来了解一下详情吧。 3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产

三星品牌的口碑一直存在于大众,对于三星你了解多少呢,近期三星又开发出了第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,让我们一起来了解一下详情吧。



3月21日,三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。


  第三代10nm级工艺即1z nm(在内存制造中,用x/y/z指代际,工艺区间是10~20nm),整合了EUV极紫外光刻技术,单芯片容量8Gb(1GB)。

  三星表示,1z nm是业内目前最顶尖的工艺,生产效率较1y nm提升了20%,可以更好地满足日益增长的市场需求。

  量产时间敲定在今年下半年,成品的8GB DDR4模组也在验证中,目标领域是下一代企业级服务器和2020年的高端PC产品。

  三星还表示,将在平泽市(Pyeongtaek)提高DRAM芯片的产能,同时上述先进技术还将应用于未来的DDR5、LPDDR5、GDDR6产品上。

  不过,就在3月20日,三星电子联席CEO金基南(Kim Ki-nam)还指出,由于智能机市场增长乏力,数据中心公司削减投资,公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。

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