半导体行业并购整合趋势难变；集成电路巨无霸越来越多；中国反垄断的力度需要加强；华人在美高科技行业受到更多监控 洁身自好乃是关键

文｜集微网

校对｜Jimmy

图源｜集微网

华裔工程师涉盗通用电气机密　资料藏数码照二元码内

一名受雇于通用电气公司(GE)的华裔工程师，涉嫌窃取该公司的机密技术文件，1日在纽约上州被捕并过堂，暂不得保释，若罪成最高可面临十年监禁和25万元罚款；检方指出，嫌犯已是美国公民，但仍保留中国籍，与中国多家航空技术公司有利益关系，多家公司有政府背景。检方指出，郑晓青在7月5日将含有航空涡轮机技术的商业机密文件，以速记式加密手段，隐藏在一张日落图片内，再以电邮方式把含有商业机密的“图片”以“值得保存的美丽风景”(Nice view to keep)为标题，电邮到自己的邮箱，手段娴熟且隐密。但检方也指出，通用电气多年来已发觉郑晓青的多次可疑行为，并展开过内部调查，但没有采取措施。

集微点评：由于中美贸易战，使得华人在美高科技行业受到更多监控，不过洁身自好还是最关键的

总投资891.83亿，TCL集团将在深圳建两条第11代新型产线

8月2日，TCL集团发布公告，为巩固大尺寸面板的市场份额和技术优势， 强化公司在半导体显示垂直产业链的整合优势，公司将在深圳光明新区投建两条第11代新型显示器件生产线，即t6和t7工厂，计划总投资891.83亿元，项目公司为深圳市华星光电半导体显示技术有限公司。据披露，t6主要生产和销售43"、65"、70" (21:9)、75"液晶显示屏，超大型公共显示屏和OLED显示屏，已完成主体建设，设备搬入进展顺利。t7计划生产和销售65"、 70" (21:9)、 75"的8K超高清显示屏及65"OLED和75" OLED显示屏等。

集微点评：TCL电视及手机虽然不像前几年风光，面板却异军突起，成为另一个千亿产业布局

传英飞凌已经接近收购意法半导体，但法国政府反对并购

日前据彭博援引知情人士表示，英飞凌（Infineon Technologies AG）去年曾就收购意法半导体（STMicroelectronics NV）举行早期会谈，若该并购成功完成，英飞凌将一跃成为欧洲半导体巨头。不过法国政府反对这项并购。该人士透露，英飞凌聘请法国巴黎银行担任顾问，花了三个月时间研究这项收购案。去年8月份，英飞凌在与意法半导体接洽前，曾一度想过放弃该收购。由于审议工作从未公布，该人士要求匿名。他还表示双方并没有进一步谈判。若成功，合并后的公司年销售额将达到150亿欧元（约175亿美元）。目前尚不清楚意法半导体去年对这项并购的意向如何。知情人士表示，法国政府是意法半导体最大的股东之一，现在仍然反对两者进行合并。其中一位知情人士表示，政府希望意法半导体专注于发展业务获得增长，而不是借由并购来扩大规模。

集微点评：虽然高通收购NXP未能成功，半导体行业并购整合趋势难变

英特尔将高通总裁及英特尔前高管列入CEO候选

英特尔将高通两位高管纳入公司空缺首席执行官一职的候选人名单。知情人士透露，高通现任总裁Cristiano Amon以及前英特尔和高通高管Anand Chandrasekher成为了接任英特尔前任首席执行官Brian Krzanich的候选人。英特尔、高通以及Chandrasekher并没有立即针对此消息作出回应。知情人士表示，除了Amon以及五月从高通离职的Chandrasekher之外，其他候选人还包括现任英特尔高管的Navin Shenoy以及Venkata Murthy Renduchintala、前英特尔高管Diane Bryant、Renee James以及Stacy Smith。前英特尔高管、现任VMware首席执行官的Pat Gelsinger也在候选人名单中，但他已经明确表示不会考虑这件事。英特尔首席财务官兼公司临时首席执行官Bob Swan则告诉员工，他对于永久担任CEO一职不感兴趣。

集微点评：集成电路巨无霸越来越多，Intel选择CEO的空间却变得越来越小

风华高科业绩大好，股价为何闪崩？政府开始调查MLCC涨价影响

受MLCC涨价放缓冲击，中国大陆MLCC龙头风华高科股价连续下滑，7月31日，风华高科股价遭遇闪崩，收盘封死跌停。接连三天，风华高科的总市值蒸发超过20个亿。不过，风华高科日前预计上半年实现归属于上市公司股东的净利润4.05亿元至4.40亿元，同比增长262.61%至293.95%。7月26日，深圳市龙岗区经济促进局发函《关于开展电子元器件市场波动对行业影响问卷调查函》，由此来看，电子元器件市场的价格波动已经了有关政府部门的重视。

集微点评：有关部门开始关注MLCC涨价是好事，不过真要对MLCC进行调查还需要很长一段时间。与欧盟相比，中国反垄断的力度需要加强

合肥长鑫输变电项目成功送电

合肥长鑫集成电路有限责任公司12吋晶圆存储器制造基地项目，是安徽省和合肥市重点工程，安徽省单体最大的工业项目，一期投资534亿元人民币，三期总投资1540亿元，为国家集成电路重点布局三大项目之一。该项目投产后，能够有效填补国内DRAM市场的空白，符合打破国际垄断、实施存储器产业进口替代战略的发展导向。据了解，相对于国内同时开建制程和规模相近的武汉长江存储和福建晋华项目，合肥长鑫项目进展领先。长鑫项目19纳米制程与国际一流的海力士、美光、三星厂商相同。建成后，长鑫项目研发生产线居国内第一、世界第四，产量占据世界8%市场份额。

集微点评：合肥长鑫DRAM工艺比晋华领先，进设备比晋华更早，不过论量产估计晋华还是要早一些

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