英特尔QLC闪存硬盘660P曝光：起步512GB 性能有惊喜

除了SK Hynix之外，英特尔、美光、西数、东芝以及三星等公司都已经宣布量产QLC闪存了，美光的QLC硬盘已经开始出货了，主要针对企业级市场，容量可达7.68TB。在消费级市场上，英特尔之前也提到了QLC闪存硬盘的存在，容量最高可达20TB，不过真正上市的QLC硬盘显然不会有这么大容量，英特尔的QLC硬盘是660P系列，M.2 2280规格，PCIe通道，起步容量就达到了512GB，最高2TB，连续、随机性能也不错，不输现在的3D TLC硬盘。

英特尔的QLC闪存硬盘原来很早就被曝光了，去年12月底台湾大联大控股公司在一则新闻中就意外曝光660P硬盘的存在，当时这篇新闻的重点是英特尔的760P M.2硬盘，很多人都没意识到规格表中的660P硬盘使用了64层堆栈的QLC闪存。

现在660P硬盘的新闻才被人挖坟出来，使用的是M.2 2280规格，容量有512GB、1TB及2TB三种，活动功耗0.1W，待机功耗0.05W，连续读写速度分别是1800MB/s、1100MB/s，随机读取、写入分别是150K、150K IOPS，整体性能跟700P系列差不多——对了，700P系列硬盘也是英特尔没发布的产品，使用的是64层3D TLC闪存。

如果英特尔这半年来没有变动SSD规格，那么在同样的64层堆栈下，QLC闪存的性能跟3D TLC闪存差不多，只有随机写入速度差了100MB/s，还有就是功耗更高了一些，不过0.1W与0.05W之间的差距并不大，即便是笔记本上也不会有什么体验差异。

早在英特尔、美光宣布QLC闪存时，他们就提到了3D QLC闪存的P/E次数，目前能达到1000次，而3D TLC闪存是3000次，不过很多3D TLC闪存其实也没这么高，1000-1500次的并不少，因此在可靠性上QLC闪存也不会是很多人想像中的那样差。

对QLC闪存来说，现在还只是开始，英特尔、美光的QLC还是64层堆栈的，而东芝、西数以及三星都会推出90层以上堆栈的3D QLC闪存，东芝、西数的BiCS 4技术还能提供1.33Tb的业界最高核心容量，理论上成本更低，容量更大。