我国首款商用100G硅光芯片投产

我国首款商用“100G硅光收发芯片”正式研制投产，该芯片支持100-200Gb/s高速光信号传输，，是目前国际上集成度最高的商用硅光子集成芯片之一......

近日中国信息通信科技集团宣布，我国首款商用“100G硅光收发芯片”正式研制投产。该芯片支持100-200Gb/s高速光信号传输，不仅“身材”超小，性能更高，成本还更低，可通用化，广泛应用于传输网和数据中心光传输设备。

据悉，硅光芯片由国家信息光电子创新中心、光迅科技公司、光纤通信技术和网络国家重点实验室、中国信息通信科技集团联合研制。

在一个不到30平方毫米的硅芯片上，集成了包括光发送、调制、接收等近60个有源和无源光元件，是目前国际上集成度最高的商用硅光子集成芯片之一。该芯片完成封装后，其硅光器件产品的尺寸仅为312平方毫米，面积为传统器件的三分之一。

此次100G/200G全集成硅基相干光收发集成芯片和器件的量产，已通过用户现网测试，性能稳定可靠。

国家信息光电子创新中心专家委员会主任余少华院士称，硅材料来源丰富，成本低，机械性能、耐高温能力非常好，便于芯片加工和封装。借助集成电路已大规模商用的CMOS工艺平台实现硅光芯片的生产制造，可有效解决我国高端光电子芯片制造能力薄弱、工艺能力不足的问题。

7月20日，武汉邮电科学研究院（烽火系）和电信科学研究院（大唐系）联合重组，成立中国信科集团，计划未来5年内投资600亿元发展5G移动通信、集成电路、网络信息安全、光通信、光纤及光器件、特种通信、数据通信、云计算、物联网与智慧城市解决方案等9个产业方向。

此次工信部主导成立国家信息光电子创新中心，推动4家单位通力合作，实现100G硅光芯片的产业化商用，表明我国已经具备硅光产品商用化设计的条件和基础。

未来几年，硅光技术有望在光通信系统中大规模部署和应用，推动我国自主硅光芯片技术向超高速、超大容量、超长距离、高集成度、高性能、低功耗、高可靠的方向发展。

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