IBM 5nm晶体管攻克电池难题：手机续航3倍提升！
报价宝综合消息IBM 5nm晶体管攻克电池难题：手机续航3倍提升！
IBM在2015年7月完成了全球首款7nm原型芯片的制作，其采用的是7nm FinFET工艺、EUV极紫外光刻技术。
今天，IBM宣布，摩尔定律并未终止，5nm芯片可以实现在指甲盖大小中集成300亿颗晶体管。
这是什么概念？
我们以目前量产10nm的骁龙835举例，后者在相似大小中集成的晶体管数量约30亿。
IBM强调，同样封装面积晶体管数量的增大有非常多的好处，比如降低成本、提高性能，而且非常重要的一点是，5nm加持下，现有设备如手机的电池寿命将提高2~3倍。
另外，此前的资料显示，5nm可能是物理极限，为此，IBM将开发使用终极绝缘体──气隙(air gap)。
