Micron、Intel推3DNAND技术10TBSSD不是梦
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-04-15
SSD 向来予人高效能但贵价的形象。虽然近期 256GB SSD 只需数百元亦有交易，但相比起主流硬盘同样价钱便可达数 TB，容量上确实仍有不少差距。不过 Micron 及 Intel 早前联合公布最新 3D NAND 技术，未来 SSD 容量将可同样攀上海量级数。
是次 Micron 与 Intel 的 3D NAND 使用 Floating Gate Cell 技术，乃由以往“平面”的 Planar flash 改进而来，但新的 3D NAND 却能像建筑物般“垂直”层层堆叠。据悉，初代 3D NAND 将可实现 32 层 256Gb（ 32GB）MLC Cell 或 384Gb（48GB）TLC Cell。预料届时 M.2 大小的 SSD 将可达到 3.5TB 容量，2.5 吋标准 SSD 更可攀上 10TB 水平。
另外，3D NAND 亦会采用 4-plane 设计以提升吞吐量，相对现时 2-plane 设计的读取及删除速度快约 2 倍。同时厂方又表示新的 3D NAND 会维持 3,000 P/E cycles 水平，使用寿命估计与现有 SSD 颗粒相若，未来更可进一步提升到 10,000 P/E cycles 以上。
消息指，3D NAND 256Gbit MLC 颗粒样本已送交特定厂商，预定今年下半年将进入投产阶段，相信首批 3D NAND SSD 产品将于明年上半年上市。
来源、图片：Anandtech、Digital Trends、Digitimes
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