中芯国际14纳米有望明年上半年量产 借中芯长电尝试产业垂直整合

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应对挑战、迎接产业发展新机遇，中芯国际正在积极扩大产能、积极引进培养产业人才、积极完善产业链布局。据悉，中芯国际近三年单月晶圆产能增加了近16万片，增幅达64%，其14纳米FinFET也将于明年上半年进入量产。

文｜春夏，小北

校对｜依然

图源｜集微网

集微网消息，9月13日，在“2018年中国集成电路产业发展研讨会暨第21届中国集成电路制造年会”上，中芯国际执行副总裁李智进行了《立足中国，布局未来，迎接集成电路产业新发展》的演讲，他指出，中国半导体市场发展非常迅速，从2000年的7%涨至2018年的47%，增长了40%，市场规模也超过了美国和日本的总和，中国半导体产业在全球市场有足够的发言权。尽管如此，中国集成电路产业发展仍然面临诸多挑战，例如价值链整合能力不强，不足以支撑集成电路产业发展。

中芯国际执行副总裁李智

当前我国集成电路发展面临的几大挑战：

第一.全国各地建厂，掀起投资热潮，竞争日益激烈；

第二.工艺技术遭遇瓶颈，例如高端芯片大量依赖进口、量产工艺落后国际，先进封装工艺差距，设备和材料刚起步；

第三.成本升高，劳动成本优势丧失，设备、材料价格波动；

第四.人才紧缺，专业人才储备少、中高级人才缺口大；

第五.技术壁垒,“301”调查、N-2的技术限制。

应对产业挑战，我国集成电路产业各个环节都在发力。

据悉，中芯国际正在积极扩大产能，近三年单月晶圆产能增加了近16万片，增幅达64%。例如，北京12英寸B2A厂，45纳米及以下晶圆月产能由之前的2.7万片提高到3.5万片；深圳8英寸G1厂,0.35微米~90纳米晶圆月产能由之前的4万片提高到6万片。同时，北京、天津、上海、深圳都有在建工厂，其中北京12英寸B2B厂，28纳米晶圆月产能将达3~5万片；天津8英寸T1B厂，0.35微米~90纳米晶圆月产能将达10万片；深圳12英寸G2厂,0.11微米~55纳米晶圆月产能将达4万片；上海12英寸S2B&C工厂，14纳米及以下晶圆月产能将达7万片每月。

如今，14纳米是中芯国际当前发展的重中之重，其14纳米专利申请数量位居世界前五，2017年研发投入超过5亿美元，占销售额17%比例，资本支出约25亿美元。中芯国际第一代14纳米FinFET技术已于今年第二季度进入客户导入阶段，预计明年上半年进入量产。

同时，中芯国际为迎接产业发展新机遇，积极引进培养产业人才，积极完善产业链布局。

在完善产业链布局方面，李智指出，中芯长电的成立体现了产业链的联动，也是产业垂直整合的有效尝试，有助于打造集成电路制造的本土产业链，也将给产业结构调整带来深刻影响。此外，中芯国际成为长电科技第二大股东，也实现了“制造+凸块+封装”制造全产业链布局。