三星公司已开始生产制造7nmLPP晶圆
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-05-21
三星已确认已在其新的7LPP节点上开始生产晶圆。
三星公司已开始生产制造7nm LPP晶圆（图片来自：hexu）
7nm低功耗Plus采用极紫外（EUV）光刻技术，并证明三星的Foundry可以遵循其“3nm的明确路径”的路线图。
三星电子的销售及营销团队执行副总裁Charlie Bae表示：“随着EUV工艺节点的引入，三星在半导体行业正引领了一场无声的发展潮流。”同时，还说明了UEV流程如何实现“晶圆制造方式的根本转变”，以及在未来将帮助工厂客户提升移动和HPC产品的使用效能。
新的7nm工艺需要5G、人工智能、企业和超大规模数据中心承载，将带动物联网、汽车等领域的发展。
三星使用的EUV技术使用13.5nm波长的光来曝光硅芯片，与传统的氟化氩（ArF）浸没技术相比有显著提升。
此外，对于EUV，可以制作单个掩模，以便在同一工作中ArF可能需要多达四个掩模。总体而言，与其前代的10nm FinFET相比，三星的新7nm LPP工艺具有以下优势：
面积效率提高40％
性能提升高达20％
降低高达50％的功耗
层数明显减少
产量更高
目前，EUV生产已经在三星位于韩国S3 Fab开始，该技术预计将在2020年实现大批量生产，预计新的EUV产能将得到保障。
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