iPhone7闪存技术提升：采用最新储存技术

　　尽管苹果下一代iPhone 6s和iPhone 6s Plus还未正式发布，但是关于这两款新机的传闻却不断的传出。虽然iPhone的设计由苹果完全负责，但是与众多零部件供应商的合作也是尽人皆知的事情。比如三星作为苹果的死对头，虽然之前各种打官司，但是依然没有妨碍三星始终作为苹果的主要供应商之一。

　　几天之前，SanDisk和东芝均推出了最新一代的NAND闪存，而根据最新的消息来看，这种新闪存将很有可能被应用到苹果将在2016年推出的iPhone 7身上，带来更快、更大的存储速度和空间。

　　两家存储巨头开发出的世界首款256Gbit X3 48层3D NAND闪存，采用3bit/cell多值化技术，容量为32GB。简单地说，这种32GB的闪存模块无论是在速度还是效率上，都要超过任何现有的产品。目前，这种256Gbit X3芯片采用了15nm的工艺，比市面上最优秀的商用闪存芯片电路密度提高了2倍、存储速度提高4-5倍，而能耗将进一步降低。并且，因为采用了3D堆栈技术，新芯片的面积将缩小，非常适合智能手机、平板电脑之类的设备。

　　拥有如此优秀的供应商，苹果当然不会轻易放弃。况且之前苹果与SanDisk、东芝已经建立了合作伙伴关系，因此我们有理由相信苹果会在第一时间为自己的产品使用这种最新的闪存技术。

　　目前，SanDisk和东芝已经完成了今年向iPhone 6s、iPhone 6s Plus第一阶段的供货，而随着新闪存技术的问世，我们将会在iPhone 7上看到两家公司的新成果，同时未来的iPhone 7在存储能力和数据传输速度上，也将大幅提升。

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