业内叹三星S8的芯片冲动：10nm又创极限

　　即将发布的三星S8随着各种神秘细节的曝光，可以说是赚足了眼球。在三星S8的多项科技创新中，最引用户关注的莫过于全视曲面屏和虹膜识别技术了。然而俗话说得好，“外行人看热闹内行人看门道”。在业内看来，三星S8最让人期待的部分，其实是它具有一颗强大的内“芯”。

　　芯片冲动

　　三星S8搭载的高通骁龙835处理器可以称得上现在最高水准的芯片，它是采用三星10nm工艺的首款产品。

　　更有业内人士感叹道，这是三星S8在芯片上的任性冲动。究竟这款旗舰芯片强在哪儿呢?难道芯片只是凭借尺寸论高下吗?答案显然是否定的。

　　对于芯片的评判标准，百度知道上是这样通俗地解释的：首先是必须具备满足需求的基本功能，其次需要考虑性能，例如传输速度、存储容量、工作电压、静态电流损耗等，而在考虑性能的同时还需要兼顾成本。此外，还需要考虑到芯片的封装形式、工作温度范围、生产工艺等因素。

　　而到具体方面，三星S8的芯片冲动主要体现在性能和功耗两大方面的突破。

　　性能突破

　　谈到在性能上的突破，则不得不提到三星S8的跑分。据了解，三星S8在跑分软件上的测试成绩是16万+，值得注意的是，这只是基于工程测试机的跑分，而零售版本的跑分预计会更高。

　　从整个安卓机阵营的分析来看，大多数主流Android旗舰机的跑分在14万-15万+左右，由此来看，搭载这枚处理器的S8跑分高出了约7个百分点，这实力可谓是不容小觑的，而且这一跑分在未来的很长一段时间都难以被超越。

　　此外，骁龙835作为是高通移动平台的一部分，拥有超过30亿个晶体管的SoC。由于它是首个使用三星10nm工艺的产品，所以封装面积对比骁龙820减少了35%。业内人士称骁龙835中新的CPU构架和X16 LTE基带是最重要的改变，其基带已经可以提供最高1Gbps的下载速度(Cat.16)。

　　总体来看，骁龙835支持的强大性能提升可归纳为以增强的机器学习为基础所支撑的五大关键技术支柱，分别是续航、沉浸式体验、拍摄、连接和安全。

　　功耗突破

　　而持久的续航能力则体现在降低的功耗上。

　　与上一代旗舰处理器相比，骁龙835的封装尺寸减小了35%，并实现了25%的功耗降低，这意味着更长的电池续航时间和更纤薄的设计。

　　作为处理器的重要组成部分，Kryo 280 CPU可提供高效节能的功耗架构，而CPU、GPU、DSP和软件框架组合提供了一个高性能的异构计算平台。此外，骁龙835还配备了Qualcomm Quick Charge 4，与使用Quick Charge 3.0相比，可实现高达20%的充电速度提升，以及高达30%的效率提升。

　　根据最新的S8续航测试结果，可以发现搭载3500mAh电池容量的S8+(10nm处理器)要比3600mAh的S7 Edge(14nm处理器)的续航时长多出42分钟。由此可以显而易见，10nm处理器的骁龙835在功耗方面的优势。

　　所以，三星S8在芯片上的冲动，带来了更加畅快的体验，有着目前最先进的芯片作为支撑，再配备行业领先的众多先进技术，三星S8被称为“机皇”也就实至名归了。

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