9月22日，三星电子16号半导体生产线竣工投产，该生产线为全球最大规模半导体生产线，主要产品为20纳米级NAND闪存，记者从三星方面了解到，三星电子本月还将首次实现20纳米级DDR3内存设备的量产，成为全球最早量产20纳米级存储器产品的企业。
据悉，三星电子16号半导体生产线自去年5月开工建设，经过短短的15个月即投入运行，总面积约为20万平方米，建筑达12层，也是全球最大规模，最先进的半导体生产线。
三星电子方面表示，三星电子16号半导体生产线今年2月竣工、5月建成洁净室(Clean Room)、6月开始产品测试、8月完备量产系统，计划从本月起，每月生产1万片以上的12英寸晶圆20纳米高速NAND闪存。有业内人士称，以此为契机，三星电子在巩固其内存领先企业地位的同时，也为全球IT市场注入了新的活力，为以后的发展打下了良好的基础。到今年末为止，三星将按照NAND闪存的需求，逐渐增加12英寸晶圆的生产规模，明年计划量产10纳米级大容量高速闪存。
此外，本月将实现量产的三星20纳米级DDR3内存拥有与去年7月研发的30纳米级DDR3内存的同等性能，同时提高了约50%生产效率，节约了40%以上的耗电量，是名副其实的绿色内存。
三星计划今年内研发20纳米级4Gb DDR3内存，明年开始量产4GB、8GB、16GB、32GB等大容量产品。三星将从企业服务器市场到笔记本市场等各种IT市场上不断扩大绿色内存的比重。
三星集团李健熙会长、索尼集团中川裕副会长等500余名IT界人士出席了22日的16号生产线竣工仪式暨20纳米级DRAM量产仪式。
三星李健熙会长表示：“这次16号生产线的竣工投产让我们拥有了全球最先进的工程生产线，也让我们更加稳定地向顾客供应更多的尖端产品，加强了三星独有的竞争力。”
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