英特尔10nm制程工艺指标远超台积电7nm
英特尔10nm制程工艺姗姗来迟，受到外界不少的质疑。即便在今年台北电脑展上英特尔已经发布了10nm处理器，但是首批搭载10nm处理器的电脑究竟何时上市还是没有确切的时间。此前媒体大多分析将于今年第三季度释出，如果真是这样的话，那么可能最早在7月份才能见到英特尔10nm产品。
此外，在英特尔释出10nm处理器之后，官方引数显示10nm处理器的主频和睿频基准都有所降低，尤其是预设主频降幅较大。但是在技术层面，英特尔表示10nm处理器的IPC提升18%，熟悉处理器的朋友都知道，IPC提升18%是一件非常困难的事情，因此虽然10nm处理器主频降低，但考虑到大幅提升的IPC，10nm处理器的效能还是值得期待的。
此前GeekBench 4跑分露出了英特尔10代酷睿，也就是首批10nm酷睿处理器的表现，其最终成绩非常不错。而近日，英特尔10nm制程工艺的基本指标也被放了出来，如下：
从上图可知，英特尔10nm制程在晶体管密度上做到了100.76Mtr/mm2、栅极间距54×44nm，SRAM面积为0.0312μm2，与台积电7nm制程相比，在基本指标上均取得大幅领先。因此即便之前英特尔官方公布的10nm处理器主频下降不少，但从IPC效能、晶体管密度、栅极间距等其它关键指标来看，英特尔10代酷睿的效能发挥值得期待。
编辑点评
目前，英特尔10nm制程处理器已经大规模发货，不过首批都是应用于轻薄型膝上型电脑上的低压U系列处理器，也就是Ice Lake-U，至于移动级45W标压处理器、桌面65W/95W处理器、甚至是为专业设计师、视讯剪辑提供的发烧平台Ice Lake-X、至强D等，还需要等到明年才能看到。
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