美光发布第二代LPDDR4X内存：12GB内存手机明年…

　　11月8日消息 昨日，美光宣布，目前已经开始量产旗下第二代LPDDR4X内存芯片，性能速度能够达到4266Mbps，单片容量12Gb(1.5GB)，最高可部署12GB。

　　据介绍，美光的全新内存芯片目前为业界最高容量，并且也是目前时钟速度最快的4x DRAM产品，将用于智能手机、平板等移动设备，相较于上一代产品还将带来功耗方面的改进，功耗降低达10%。

　　制造工艺方面，美光全新的内存芯片将会基于1Y-nm(10nm级，10-18nm)工艺技术生产。

　　随着5G技术的即将到来，美光量产全新的内存芯片将能够为计算和数据密集型移动应用如AI、AR、4K视频等应用提供更好的数据处理性能。

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