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三星发表512GB的DDR5内存,宣称效能是DDR4的两倍

消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间:2024-05-18

报价宝综合消息三星发表512GB的DDR5内存,宣称效能是DDR4的两倍
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三星

三星于周四(3/25)发表了全球首个基于高介电质金属闸极(High-K Metal Gate,HKMG)制程技术的512GB DDR5内存模组,其最高效能为每秒7,200Mb,是DDR4的两倍,适用于超级运算、人工智能、机器学习及资料分析等,各种需要密集运算与高带宽的应用中。

HKMG是以金属蛤(Hafnium)的氧化物作为栅极电介质,取代传统以二氧化硅氧化物打造的栅极结构,可减少栅极漏电流,还能有效降低栅极电容,通常被应用在逻辑半导体中,三星已于2018年将HKMG应用在GDDR6内存,此次则扩大其应用至DDR5。

三星指出,有鉴于内存架构持续缩小,绝缘层变薄的结果造成更高的漏电流,以HKMG作为绝缘层将减少DDR5内存的漏电流,同时达到更高的效能,且所使用的电力也减少了13%。

负责内存的三星副总裁Young-Soo Sohn表示,三星是唯一一家把HKMG技术导入内存产品开发的业者,将让三星得以提供高效能又省电的内存解决方案予医药研究、金融市场、自驾车与智慧城市等领域的客户。

根据外电报导,三星已开始送样予客户,采用HKMG版DDR5内存的台式电脑可望于今年底或明年问世

2021-03-26 21:49:00

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