英特尔揭示未来4年冲刺半导体制程封装技术，可望加速处理器世代交替？

英特尔首席执行官Pat Gelsinger上任后，今年3月对外宣布将启动IDM 2.0（Integrated Device Manufacturing 2.0）的重大策略，准备大举重振英特尔的晶圆代工事业（Intel Foundry Services，IFS），同时加速该公司在半导体技术的革新，试图扭转外界对其制程技术发展缓慢的劣势。

本周英特尔在加速日的线上活动中，公布最新制程技术发展蓝图，包括从今年开始采用新的节点命名方式，包括Intel 7（即先前的10nm Enhanced SuperFin）、Intel 4（先前的Intel 7nm）、Intel 3，为节点命名建立一致性的框架，该公司强调此举让其客户、产业对其制程节点有更精确的认知。

另外，2024年将从“奈米”（nanometer）进入“埃米”（angstrom）时代的Intel 20A，开始采用RibbonFET的英特尔环绕式闸极（Gate all aroud）晶体管，以及PowerVia的背部供电设计，强调能最佳化讯号传输。而在Intel 20A之后，将在2025年初问世的Intel 18A正在研发中，将采用改良的RibbonFET及下一代EUV微影技术。此外，英特尔宣布IFS已获得AWS、Qualcomm支持，将采用其制程及封装技术。

英特尔采用新的节点命名架构，颇有扭转长久以来外界对其制程落后晶圆代工业者的批评之意，例如英特尔仍采用10奈米，而晶圆代工业者台积电早已进入7奈米制程，去年第二季宣布成功量产5奈米FinFET制程技术，并预告2022年准备量产4奈米制程技术，未来还将发展至3奈米。

根据英特尔说明，Intel 7虽仍为10奈米制程技术，但采用enhaced FinFET，每瓦效能比Intel 10nm SuperFin提高10到15%，至于Intel 4才是采用7奈米制程，每瓦效能较Intel 7提升20%。值得注意的是，此处每瓦效能提升系指制程技术的改进，并非最终处理器产品的效能。

对于英特尔新的节点命名要如何对应到台积电的制程技术？英特尔创新科技总经理谢承儒解释，英特尔考虑新的节点命名方式，参考业界普遍使用的重要参数，例如以每瓦效能的表现决定是否进入新的节点，因此英特尔参考业界命名的参数标准，将原本的Intel 10nm enhanced SuperFIN改为Intel 7，以接近产业界的7奈米，以较简单的方式简化节点命名。

换言之，Intel 4、Intel 3、Intel 20A未来将对应到数字接近的其他业者制程。

可望带动处理器产品更新？

英特尔大动作宣布加速制程封装技术，从2021年Intel 7到2024年的Intel 18A，甚至2025年之后的Intel 18A，未来4至5年内，英特尔制程技术将翻新5次，可能牵动英特尔旗下处理器产品发展。

回顾过去英特尔制程技术与产品发展，例如在45奈米制程时，采用Hi-K金属闸极技术，以改善晶体管漏电流的问题，而在跨入32奈米制，进一步采用第二代Hi-K金属闸极技术，应用在资料中心的Westmere产品。2014年英特尔公布首批处理器开始采用14奈米制程生产，采用第二代三闸极（Tri-gate）FinFET晶体管。

而在本周英特尔公布制程技术的同时，也明确指出Intel 7将在2021年用于用户端产品的Alder Lake，2022年用于量产资料中心产品Sapphire Rapids，而采用EUV极紫外光微影技术，每瓦效能比Intel 7提升20%的Intel 4，也会在2022到2023年间用于用户端的Meteor Lake及资料中心端的Granite Rapids。

英特尔启动IDM 2.0，数年内密集更新技术，同时间多项专案并行，除了考验英特尔的技术研发能力之外，制程技术的不断翻新也可能带动产品面的更换速度，也不免令人好奇，未来的4、5年内英特尔旗下的处理器产品是否将有一波密集推陈出新？

对于此一问题，英特尔副总裁汪佳慧未正面回应，但她表示，此次英特尔公布加速制程封装技术，在未来4年5个转换，回顾英特尔过去的历史及现在做的事，目的就是加速制程的创新，不只是制程技术方面，也包括产品方面。在英特尔IDM2.0策略之下，未来不论是内部制程，或是和第三方的合作，目的都是提供符合客户需求的领先产品。

谢承儒则补充说明，未来不论4年5个节点或是5年4个节点，再再显示英特尔在技术发展的方向已经确定，接下要做的是如预期达成，让终端客户能够有可预知的解决方案。