联发科预期将新技术同样用于提供专业应用与客制化芯片设计服务，目前分别可涵盖系统及平台设计、系统单芯片 (SoC)设计、系统整合与芯片实体布局(Physical layout)，以及生产支援和产品导入等涵盖从前端到后端任一阶段的运算需求。
联发科稍早宣布推出业界首款采7nm FinFET制程硅认证 (Silicon-Proven)的56G PAM4 SerDes技术，未来将进一步扩展基于ASIC (Application Specific Integrated Circuit)特殊应用处理器形式设计的产品阵容，同时预计在今年下半年推出首款产品，之后也预计提供专业应用与客制化芯片设计服务。
目前56G PAM4 SerDes技术已经分别通过7nm FinFET制程，以及16nm FinFET制程原型芯片实际验证，预期将可应用在诸多前端处理器产品设计，其中7nm FinFET、16nm FinFET制程技术预期源自台积电。
而联发科目前针对ASIC特殊应用处理器形式设计的产品阵容包含10G、28G、56G到112G等规格，并且对应企业等级运算、超大规模数据中心、高性能网络交换机、路由器、4G/5G基础设施 (由基地台回传至电信机房；Backhaul)、人工智能与深度学习应用，以及各类需要超高带宽与长距互传的新型态运算应用需求。
除了未来应用在旗下处理器产品，联发科预期将新技术同样用于提供专业应用与客制化芯片设计服务，目前分别可涵盖系统及平台设计、系统单芯片 (SoC)设计、系统整合与芯片实体布局(Physical layout)，以及生产支援和产品导入等涵盖从前端到后端任一阶段的运算需求。
