或是Note6首发 三星256GB闪存现身官网
2016-04-05 13:04
在今年2月份的时候三星发布了容量高达256GB的最新、最快UFS 2.0闪存芯片。据之前的消息该芯片将搭载于三星Note6上。现在,有关于这款闪存芯片的详细信息已经现身三星半导体官网。据称该闪存芯片目前已经成功流片,同时三星也正在加紧进行测试,相信距离大规模量产的时间不久了。
从三星半导体给出的信息来看,该芯片型号为KLUEG8U1EM-B0B1,封装尺寸为11.5x13x1.2mm(仅比32GB闪存厚了0.2mm),MLC采用双传输信道的G3 2Lane规格。得益于串行界面以及全双工运行(可同时读写操作),三星官方宣称这款256GB的UFS 2.0闪存芯片的持续读、写速度分别可达850MB/s、260MB/s,读取速度比大多数电脑上的SATA SSD都要快。
同时该芯片的读/写操作IOPS分别可达45000、40000,比上一代UFS闪存快了一倍。根据三星半导体的消息,这款256GB USF 2.0闪存芯片未来将应用到智能手机、平板以及智能电视上,其中将在今年下半年发布的商务大屏旗舰三星Galaxy Note6有望最先用上。

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