三星7纳米下半年即将投产3纳米制程开发已在计划

有消息称苹果今年发布的A12处理器将会采用全新的7nm工艺，高通骁龙855、华为麒麟980等处理器也将采用7nm工艺，毫无疑问7nm将会成为今年旗舰处理器的一个关键词。

三星在本周三发布的新闻稿中宣布，全球第一个采用极紫外光（EUV）微影设备的 7 纳米 LPP（Low Power Plus）制程，已准备好于 2018 下半年投产。三星的目标很明确，就是成为未来先进运算与物联网芯片生产技术的领导者，并进而分食台积电的晶圆代工订单。

尽管外界看好台积电在 7 纳米制程竞赛仍居领先地位，但三星将是第一个在 7 纳米制程导入 EUV 微影技术并成功量产的晶圆代工厂，为下一世代制程反超前台积电奠定基础。三星在新闻稿同时预告 5 纳米、4 纳米与 3 纳米制程的开发计划。

其中，5nm LPE工艺相较于7nm LPP，会进一步缩小芯片核心面积，带来更低的功耗；4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinFET技术，进步压缩芯片面积。3nm GAAE/GAAP则采用了全新的GAA（Gate-All-Around，环绕栅极）纳米技术，需要重新设计晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。

调研机构 IC Insights 周二发布报告指出，三星首季半导体资本支出 67.2 亿美元，稍高于前 3 季水平，显示三星发展半导体势头不减。三星半导体部门过去 4 季累计资本支出高达 266 亿美元。

整体来看，IC Insights 预估全球半导体业 2018 年资本支出将成长 14%，较 3 月的预估值多出 6 个百点，且将首度超过 1 千亿美元大关。据了解，目前智能手机领域芯片霸主宝通的7nm芯片就会由三星进行代工，而三星的EUV产能也将会为智能手机、服务器、其它移动计算设备以及数据中心等场合提供低功耗且性能强劲的产品。

今年二月三星在其官网放出公告，表示将与高通进行技术合作，合作后高通未来的骁龙芯片可以使用三星的EUV工艺打造芯片，未来使用该技术芯片的手机将有更大的空间来布置电池等其他部件。

（国际电子商情微信众公号ID：esmcol，本文综合IT之家，MoneyDJ新闻等）