中国发展第三代半导体材料传好消息 又一家上市公司布局
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间:2024-05-20
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source:耐威科技官网
原标题:又一家上市公司发力第三代半导体材料!
耐威科技发力第三代半导体材料,其氮化镓材料项目宣布签约青岛。
7月5日,耐威科技公告称,公司与青岛市即墨区人民政府、青岛城市建设投资(集团)有限责任公司在2018年国际集成电路产业投资(青岛)峰会上签署《合作框架协议书》。
首先回顾一下这次合作背景。今年5月24日,耐威科技宣布与袁理先生、青岛海丝民和半导体投资中心(有限合伙)、青岛民芯投资中心(有限合伙)共同投资设立两家控股子公司——聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司与青岛聚能创芯微电子有限公司,耐威科技分别持股35%、40%。
两家控股子公司业务均与氮化镓(GaN)相关:聚能创芯主要从事功率与微波器件,尤其是氮化镓(GaN)功率与微波器件的设计、开发;聚能晶源主要从事半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产。
随后,耐威科技将聚能晶源项目落地青岛市即墨区,青岛城投拟通过青岛海丝民出资参与聚能晶源项目,因此有了这次耐威科技、青岛城投与青岛即墨政府签署合作协议。
协议内容包括:
(1)为帮助和尽快形成产能,占领国内第三代半导体材料市场份额,青岛即墨同意与聚能晶源另行签署正式项目合作协议,为聚能晶源提供一系列项目支持;
(2)为支持聚能晶源吸纳骨干尖端人才,各方互相协助使得聚能晶源为本项目引进的优秀人才切实享受到青岛市、区等各项人才优惠政策。
(3)聚能晶源预计本项目投资总额不少于约2亿元人民币:2018年年底前投资总额不低于 5000 万元人民币,2020年底前投资总额不低于1.5 亿元人民币;
(4)聚能晶源未来产品线将覆盖功率与微波器件应用,打造世界级氮化镓(GaN)材料公司,项目主要产品有面向功率器件应用的氮化镓(GaN)外延片,以及面向微波器件应用的氮化镓(GaN)外延片等。
耐威科技表示,这次合作有利于公司加快第三代半导体材料,尤其是氮化镓(GaN)外延材料的设计、开发、生产进度;有利于公司把握产业发展机遇,尽快拓展相关材料在国防装备、航空电子、5G 通信、物联网等领域的推广应用;有利于公司以感测为核心所进行的“材料-芯片-器件-系统-应用”的全面布局。
耐威科技紧密围绕军工电子、物联网两大产业链,一方面大力发展导航、MEMS、航空电子三大核心业务,一方面积极布局无人系统、智能制造等潜力业务,主要产品及业务包括军/民用导航系统及器件、MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、航空电子系统等。
2016年耐威科技全资收购瑞典纯MEMS代工企业Silex(赛莱克斯),正式切入MEMS领域并作为其重点发展及投资方向。2016年11月,耐威科技宣布在北京投资建设“8英寸MEMS国际代工线建设项目”,该项目获得国家集成电路产业基金的支持,目前项目建设正在高速推进中。
国内氮化镓正在追赶
半导体材料是制作晶体管、集成电路、电力电子器件、光电子器件的重要材料,其发展经历了三个阶段:第一代半导体材料以硅(Si)和锗(Ge)为代表;第二代半导体材料以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP);第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石为代表。
第三代半导体材料因其禁带宽度(Eg)大于或等于 2.3 电子伏特(eV),又被成为宽禁带半导体材料,与第一、二代相比,第三代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子 速率等优点,可满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件的新要求。
由于性能优越等原因,许多发达国家将第三代半导体材料列入国家计划,竭力抢占战略制高点,我国也早已开始有所部署。
2013年国家科技部在“863”计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及其应用列为重要内容,2015年、2016年国家科技重大专项02专项也对第三代半导体功率器件的研制和应用进行立项。
但总体而言,国内在氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)材料及器件方面的发展起步较晚,与国际水平仍有较大差距,目前正在积极布局中。
氮化镓(GaN)方面,除了正在入局的耐威科技外,相关企业还有苏州能讯、中稼半导体、三安光电、海特高新、英诺赛科、江西晶能等。
其中,苏州能讯已自主开发了氮化镓材料生长、器件设计、制造工艺、封装与可靠性技术,是国内首家商用氮化镓(GaN)电子器件生产企业;海特高新控股子公司海威华芯的氮化镓已成功突破6英寸GaN晶圆键合技术;英诺赛科(珠海)科技有限公司8英寸硅基氮化镓(GaN)生产线也已实现量产......
随着全球半导体第三次产业转移,中国作为全球最大的半导体市场,在第三代半导体材料领域机遇与挑战共存,需脚踏实地努力实现弯道超车。
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