三星宣布量产90层堆叠的第5代V-NAND闪存

全球存储器龙头厂三星10日宣布，正式量产堆叠数高达90层的第5代V-NAND闪存。该项产品不但堆叠数为当前最高，而且还首发Toggle DDR 4.0传输界面，使得传输速率达到了1.4Gbps。

三星的V-NAND是3D NAND闪存中的一种。目前市场中的主力，还是堆叠数64层的第4代V-NAND闪存。如今，三星宣布正式量产的是第5代V-NAND闪存，其核心容量256Gb并不算高，但是各项性能指标却不能小觑。

其中，它是业界首发支援Toggle DDR 4.0传输界面的V-NAND闪存，传送速率达到了1.4Gbps，相较过去64层堆叠的V-NAND闪存来说，足足提升了40%。

而除了采用新的传输界面以提升速率之外，第5代V-NAND闪存的性能、功耗也进一步优化。其工作电压从1.8V降至1.2V，同时写入速度也是目前最快的500us，这个速度也是比上一代V-NAND闪存提升了30%。至于，在读取速率上的回应时间也缩短到了50us。

据了解，三星的第5代V-NAND闪存，内部堆叠了超过90层CTF Cell单元，是目前市面上堆叠层数最高的3D NAND TLC架构闪存。这些储存单元通过微管道孔洞连接，每个孔洞只有几百纳米宽，总计包含超过850亿个CTF单元，每个单元可以储存3位元资料。

此外，第5代V-NAND闪存在制程技术上也做了改进，制造生产效率提升了30%。而借由先进的制程技术，使得每个闪存单元的高度降低了20%，减少了单位之间干扰的发生率，提高了资料处理的效率。三星目前正在加强第5代V-NAND闪存的量产，以便满足高密度储存领域，包括高效能运算、企业服务器及移动设备市场的需求。

而除了第5代V-NAND闪存的量产之外，三星目前也还在扩展V-NAND闪存，准备推出核心容量高达1Tb的NAND闪存，及QLC架构的闪存产品，继续推动下一代闪存发展。

来源：TechNews科技新报

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