投资将达90亿美元三星确保NAND闪存继续领先优势
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-05-23
随着智能手机加速发展，其涉及到的NAND闪存需求大涨。目前三星在NAND闪存芯片方面占据了全球38.3%的营收，而且这个优势还将继续保持。为了继续扩大领先优势，三星希望在中国西安与韩国平泽投资闪存生产线，就是为了进一步拉开与竞争对手的差距，保持绝对领先优势。
目前全球闪存市场，只要有这几个玩家保持着绝对市场，其中就包括三星、SK海力士、西部数据、美光、英特尔、东芝等，除此之外中国长江存储也在发力3D NAND闪存。此前长江存储就喜提EUV光刻设备，用于14nm~20nm工艺，该设备也是全球最先进的芯片生产工具和设备。这意味着长江存储在准备量产3D NAND闪存芯片。
面度如此多的竞争对手，三星称将在明年继续投入90亿美元，用于扩大NAND闪存投资，而在今年三星的投资额度只有64亿美元。而且现在三星还宣布生产全球领先的第五代V-NAND闪存。该闪存比起上一代芯片传输速度将提升40％以上，数据写入速度提升30%以上。三星将在未来扩大第五代闪存的投入，抢先各大闪存竞争对手。
而现在中国还聚焦在32层三维NAND闪存芯片，与三星第五代闪存技术还有差距。外媒认为中国要想赶上三星，需要发展几年。而现在三星无疑也在加大该领域的投入，从而巩固在存储芯片的领先地位。
由于智能手机市场还在加大，外界认为三星将在闪存芯片方面创造新的利润记录。随着各大竞争对手的生产线投入，闪存芯片市场缺货将得以改变，但是要想降价还是没有那么快，毕竟现在三星依然主导者芯片价格。
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