三星SK海力士升级在华工厂 对抗长江存储

据路透社10月21日独家报道，四名知情人士透露，三星电子和SK海力士正在升级各自位于中国的工厂，以生产更先进的存储芯片，目标是抵御快速崛起的中国竞争对手长江存储（YMTC），同时满足AI带来的巨大需求。

升级中国工厂对两家韩系巨头来说并不轻松。自2022年美国对部分芯片制造设备实施出口管制以来，两家公司若要在中国工厂安装蚀刻机等美国设备，每年都需向美方申请许可。美国商务部工业与安全局2025年还表示，不打算批准它们升级技术或扩大在华产能的许可申请。监管上的掣肘限制了工厂改造进度，也直接导致市场份额流向长江存储。

市场数据印证了这种此消彼长：研究机构Omdia的数据显示，长江存储今年二季度在中国NAND市场份额达到38.5％，高于2025年全年的28％，已超越三星；三星份额则从36％滑落至33.5％，SK海力士从20％降至17％。

具体计划上，三星西安工厂目前生产约200层NAND芯片，该厂占三星全球NAND产量约40％。在内部代号"Monami"的项目中，三星正把这座工厂改造为生产286层的第九代V9 NAND芯片，目标今年12月实现月产5000片晶圆，2027年12月提升至4万片。三星回应称，升级符合美国出口管制规定，公司并未扩大产能，也没有新建制造设施。

SK海力士方面，正计划把辽宁大连工厂的产品从目前的192层提升至240层以上，且已获准在大连生产最高240层的芯片，后续可能向美方申请在当地研发300层以上产品。大连厂来自2021年收购英特尔NAND业务的交易，该业务现为Solidigm，正筹备美国IPO。SK海力士还在与特朗普政府讨论在美国新建一座NAND工厂。

两家公司均向路透社证实，升级工作正在进行，并与华盛顿保持密切磋商，但未披露具体生产计划；美方究竟批准了多少升级所需设备的出口许可，目前仍不得而知。对依赖中国产能的存储行业而言，这轮技术追赶与监管博弈的走向，将直接影响全球闪存供应格局。

编译自 Reuters，原标题："Exclusive: Samsung, SK Hynix upgrading China plants to make more advanced chips"