来源：内容由公众号 半导体行业观察（ID：icbank） 原创

日前，三星宣布其第五代V-NAND芯片正式量产。因为首次采用了Toggle DDR 4.0界面界面，在存储与内存之间的数据传输率高达1.4Gbps，比上代64层堆叠提升了40％，同时电压从1.8V降至1.2V，能效大大提高。正在大家感叹于三星的技术进展神速的时候，三星再祭出一个大杀招，那就是继续投资扩充产能。

这对于正在投入巨资争取Flash国产化的长江存储来说，无疑是一个大挑战。

双管齐下增强闪存市场影响力

据半导体行业观察（微信号：ICBANK）了解，三星前一代的V-NAND是64层的，新产品除了上面介绍的那些提升以外，延迟、耐久和可靠性有了一定的提高，且每个存储层的厚度已经削薄了很多。三星方面披露的消息可以看到，其第五代的首批采用了96 layer的设计，不但能将单die的容量扩充到32GB（手机等消费电子常用的规格），同时还将产能提升了30%。

与此同时，韩媒表示，三星上调了NAND Flash的投资到150亿美元，扩大韩国平泽工厂和中国想工厂的产能。技升级术和产能扩产双管齐下，考虑到三星在这个市场的影响力，NAND Flash一场“大战”在所难免。

分析机构DRAMeXchange的数据显示，2018年第一季度，三星存储的时候高达37%，虽然较之上一季度有了5.6%的下滑，但是从份额上看，几乎是是全球排名第二的东芝的两倍。可以看到三星在这个市场的巨大影响力。

2018年第一季度NAND Flash品牌厂商营收数据

超高的市场份额，加上产品的缺货和涨价影响，也带动了三星在过去两年业绩的攀升。2017年三星总收入2247.3亿美元，同比增长了18.7%，全年利润也高达395.7亿美元。而在今年第一季度，三星净利润将达到历史新高的107亿美元，同比增长52.11%。

可以看到，依赖于技术优势，三星挣到了份额和大量的钞票。

长江存储投入巨资欲打破垄断

从上图可以看到，来自美日韩三国的三星、东芝、西部数据、美光、SK海力士和英特尔总共占领了全球99%的NAND Flash出货量，而中国作为最大的电子制造国，加上近年来国产手机、大数据和服务器存储等需求的攀升，国内的NAND FLASH需求也在增加。

据数据显示，早在2014年，国内消耗的NAND Flash全球占比就高达20.6%，这几年的份额占比绝对也是有增无减。而去年，我国进口的两千多亿芯片中，包括NAND FLASH和DRAM在内的存储芯片的占比更是接近50%，达到889.21亿美元。加上闪存市场未来看好，因此无论是从经济或者是自主可控来看，发展国产存储是势在必行。而紫光集团旗下的长江存储在过去两年一直执行这个相关攻坚工作。

长江存储成立于2017年7月，是紫光并购武汉新芯而成立的新公司。确定了3D NAND Flash为发展目标后，紫光集团延揽了台湾DRAM教父高启全来操盘，并取得了快速进展。

赵伟国展示长江存储32层64G存储芯片

2017年9月，长江存储一期提前封顶；同年11月中旬，紫光集团董事长赵伟国参加央视《对话》栏目中展示了一颗32层64G存储芯片。他表示这枚芯片价值10亿美元，是长江存储1000人干了2年时间研发出来的；12月在乌镇举办的世界互联网大会上，赵伟国正式宣布，紫光旗下的长江存储已经研发出了32层64G的完全自主知识产权的3D NAND芯片，2018年将实现量产。

长江存储装机仪式

今年四月的时候，长江存储机台正式搬入。启动仪式上，紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全披露，长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品；次月，来自荷兰ASML的193nm沉浸式设计，可生产20-14nm工艺的3D NAND闪存晶圆的光刻机也抵达武汉。这代表着国内实现 3D NAND 量产的全新起点，对中国半导体产业极具里程碑意义！

而他们也计划从明年开始投入64层堆叠、单颗容量16GB闪存的研发。国内存储正在走上一条高速发展的道路，但危机似乎已经显露。

三星等厂商意在“绞杀”国产存储？

自由竞争的市场是非常残酷的，因为领先者可以凭借其技术、价格、经验甚至现金流打败你。而长江存储也正在面临同样的威胁。

前面已经提到，三星已经成为NAND Flash领域的全球领导者，他们的产品和技术是毋庸置疑的，且已经经过市场考验的。对于开发者来说，选择三星他们的产品，是一个高枕无忧的方案。对于新入者来说，如果在产品性能或者价格方面你没有太大的优势，是根本无法在一个市场上与成熟的竞争者竞争。

以长江存储为例，如果说去年高涨的NAND Flash价格高企，是他们的一个巨大的机会，但现在各大厂商的NAND Flash的放量和扩产，NAND Flash供过于求，价格下探，根据inSpectrum Tech Inc.的数据，128G MLC NAAD 闪存芯片的价格下跌约9％。价格优势的小时，给长江存储带来了潜在的压力。

与价格持续高企的DRAM不一样，NAND Flash在经历了去年的疯涨以后，今年颓势尽显。按照DRAMeXchange在今年六月底的分析，2018年上半年NAND Flash市场状况，受到传统淡季冲击及64 / 72层3D NAND产能稳定扩张影响，各类产品合约价已连续两季下跌。展望第四季，在供给面虽然新增产能不多，但供应商的64 / 72层产品良率预期皆将接近或超过80%水准，达到成熟状态，加上供应商并准备新增或转移产能至96层工艺，带动产出持续成长，NAND Flash价格恐进一步下跌。

但在三星宣布进一步加大投资扩产以后，他们或许想重演当初DRAM的“壮举”，长江存储面临的形势更加严峻。在这里，我们谈一下三星在DRAM上面的一系列“神操作”，方便大家理解这背后的逻辑。

2017年Q4 DRAM 的市场份额

众所周知，三星除了NAND FLASH是全球领先之外，他们在DRAM方面也是名列前茅的，在这个领域，他们的份额更是接近50%，遥遥领先于第二名。前三供应商也占有全球近96%的市场份额。但这在2008年之前，寡头效应还没那么强。

2007年Q2的DRAM销售排行

知名博主饭统戴老板在其文章《内存的战争》中有提到，2008年金融危机前，全球共有五大DRAM供应商，分别是：三星（韩）、SK海力士（韩）、奇梦达（德）、镁光（美）和尔必达（日），五家公司基本控制了全球DRAM供给。但三星以独霸天下为目标，以政府输血为手段，在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候，你是疯狂扩产，通过大规模的生产进一步下杀产品价格，逼迫竞争对手推出市场或者破产，这就是所谓的“反周期定律”，在这次的厮杀中，三星把日本最后的DRAM厂商尔必达打到破产，而曾经不可一世的奇梦达也消失了，三星也吃掉了他们的大部分市占。在过去的几十年发展中，三星实施了三次这种反周期定律，一家独吃两大存储市场。也许在NAND Flash领域，三星将启动其第四次“反周期定律”。

因为数据上看，国内无疑是三星最大的存储市场，如果长江存储发展起来，首当其冲的是他们无疑，从生意的角度看，在自由竞争的市场打击竞争对手，是他们的本分。对于正在襁褓中的长江存储来说，前路则是荆棘满途。