发力储存技术 更强效能的国产SSD就要来了_芯片

对于电脑硬件类产品，很多人看到“国产”二字，就会不自觉地将山寨、劣质、易坏等词联络到一起。事实上，近年来国产产品在严格质检、加大技术研发力度的基础上，已经可以给大家交出更完美的答卷了。这不，联芸科技 （Maxio Technology）作为国产SSD主控芯片重要代表，近日展示了其最新的MAP100X系列PCIe、NVMe 1.3界面的SSD控制芯片核心技术及解决方案，全面覆盖高、中、低PCIe界面SSD市场，可全面参与全球同规格SSD主控芯片竞争。

联芸科技MAP100X系列PCIe SSD控制芯片包括三款型号：

高阶：MAP1001带DDR快取，支援8CH X 4CE；

主流：MAP1003带DDR快取，支援4CH X 4CE；

价效比：MAP1002不带DDR快取，支援4CH X 4CE，支援 HMB方案。

NAND适配性：支援所有品牌3D MLC / 3D TLC / 3D QLC颗粒。

界面：PCIe 3.0 x 4界面。

工艺：均采用28nm工艺制造。

这三款芯片的传输效能到底如何呢？一张表就给你看明白：

该系列SSD控制芯片采用联芸科技自主研发的Agile ECC2纠错技术，支援硬件RAID功能，支援端到端资料保护，支援NAND颗粒自适配技术。支援AES256/SHA256以及SM2/SM3/SM4国密演算法，支援先进的电源管理等。

不仅仅是国产主控芯片上有了质的飞跃，在闪存方面，国产颗粒的发展也是突飞猛进。

在NAND闪存领域，国内投入力量最大的就是长江储存，2016年在武汉斥资240亿美元建设国产NAND储存芯片基地，去年已经开始少量生产32层堆叠的3D闪存，预计今年底投入64层3D闪存的量产工作。其中风险试产预计三季度启动，目前良率已经实现了显著爬升。

据有关讯息称，为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江储存在2020年将跳过96层堆叠的3D闪存，直接量产128层堆叠的3D闪存。

虽然64层堆叠层数明年还是会落后于三星等大厂，但长江储存今年在FMS国际会议推出了3D Xtacking技术。在这个技术的支援下，长江储存直接进入128层堆叠3D NAND时代的时候与一线芯片厂商的差距也就没有那么大了。这也为国产SSD发展提供了更强大的闪存支援。

如今遇到华为事件，可以说给国产储存发挥的空间就更大了。不仅仅是在芯片和NAND方面，国产DRAM技术也应该大力发展起来，毕竟，技术掌握在自己手中才是最安全的，其中福建晋华和合肥长鑫则选择以DRAM内存芯片作为突破口。

近日，据媒体报道，合肥长鑫公司计划在今年底量产首款内存芯片，是8Gb LPDDR4颗粒，预计Q4季度产能约为2万片晶圆/月，最终会扩大到12.5万片晶圆/月。

在互联网时代，所有的资料都是几何倍增长，这些资料总是要有地方储存。再加上人工智能系统需要海量的资料做训练，可以说，需要天量的资料喂养出来。在这种环境下，储存技术的突破，是非常有必要的。而且，5G时代已经来了，储存技术越来越重要，这正是国产储存厂商的机会，实现储存技术的自产自销，形成国内产业链的闭环。