我国早期半导体硅材料奠基人梁骏吾逝世，享年 89 岁

最新 6 月 24 日消息，中国科学院半导体研究所 6 月 23 日发布讣告，中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效，不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 时在北京逝世，享年 89 岁。

最新了解到，中国科学院半导体研究所在《梁骏吾院士生平》中写道：

中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家、我国早期半导体硅材料的奠基人梁骏吾先生因病医治无效，不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 时在北京逝世，享年 89 岁。半导体研究所和半导体材料科学领域为失去这样一位学科泰斗，扼腕痛惜；梁氏家族为失去这样一位挚爱亲人，无限悲痛；学生弟子，为失去这样一位良师，深切哀悼。

梁骏吾院士，1933 年 9 月 18 日生于湖北武汉。1955 年毕业于武汉大学物理专业，1956 年至 1960 年就读于前苏联科学院莫斯科巴依可夫冶金研究所并获得副博士学位，同年到中国科学院半导体研究所工作至今。60 多年来，他为我国半导体材料领域的学科建设、技术创新、产业振兴以及人才培养作出了重要贡献。梁骏吾院士先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各 1 次，国家科技进步三等奖 1 次、中科院重大成果和科技进步一等奖 3 次、二等奖 4 次，上海市科技进步二等奖 1 次等各种科技奖共 20 余次。1997 年当选中国工程院院士。

梁骏吾院士在半导体材料科学领域辛勤耕耘、造诣颇深，并取得了一系列重要科研成果。上世纪 60 年代解决了高纯区熔硅的关键技术。1964 年制备出室温激光器用 GaAs 液相外延材料。1979 年研制成功为大规模集成电路用的无位错、无旋涡、低微缺陷、低碳、可控氧量的优质硅区熔单晶。80 年代首创了掺氮中子嬗变硅单晶，解决了硅片的完整性和均匀性的问题。90 年代初研究 MOCVD 生长超晶格量子阱材料，在晶体完整性、电学性能和超晶格结构控制方面，将中国超晶格量子阱材料推进到实用水平。主持"七五"、"八五"重点硅外延攻关，完成了微机控制、光加热、低压硅外延材料生长和设备的研究。他还在太阳电池用多晶硅的研究和产业化等方面发挥着积极作用。