三星SK海力士升级在华产线 冲刺286层

AI把存储芯片的需求推到了新高度，韩国两大存储厂却撞上一条看不见的天花板。据Chip News报道，三星电子与SK海力士正改造各自在中国的NAND闪存工厂，把产品推向200层以上，一边满足AI数据中心的胃口，一边守住被本土对手蚕食的市场份额。

三星的西安工厂约占其全球NAND产量的四成，目前主要生产约200层的产品。据四位知情人士的说法，三星正以内部代号"Monami"（法语"我的朋友"）的项目，把产线改造成286层V9 NAND。一位消息人士给出的爬坡节奏是：2026年12月达到每月5000片晶圆，2027年12月提升至每月4万片。三星强调这次属于技术升级，不新增产能、不新建厂房，符合美国贸易规则。

SK海力士的目标是在大连工厂生产240层及以上的产品，该厂现有主力为192层。大连厂由SK海力士于2021年收购英特尔NAND业务而来，如今在Solidigm旗下运营。消息人士称，SK海力士已获准在大连生产240层产品，并可能申请许可，在当地开展300层以上技术的研发，为未来在美国量产同类产品铺路；公司还在与美方洽谈在美新建NAND工厂。

真正的约束来自许可证。自2022年美国限制对华出口部分芯片制造设备以来，两家公司若要在华工厂安装美国产的刻蚀机等设备，必须每年申请许可。美国商务部工业与安全局曾在2025年释放信号：原则上只批准维持现有工厂运转所需的设备出口，不会为技术升级或扩产开绿灯。两家公司均证实正在与美方密切沟通推进升级，但华盛顿究竟批了多少，双方都没有披露。

等待的代价体现在份额上。市场调研数据显示，长江存储今年二季度拿下中国NAND市场接近四成的份额，高于2025年的两成八，反超三星；三星的份额降至三成三，SK海力士降至一成七。长江存储目前量产160层与232层产品，294层产品处于小批量阶段，并已布局300层以上。

堆叠层数越多，单片晶圆产出的比特越多，每GB成本越低。在全球最大的存储市场里，层数落后就意味着成本落后。这也解释了为什么两家韩企宁可顶着许可证的不确定性，也要把在华产线往前推：不升级，就只能眼看着份额继续流失。