英飞凌投11亿欧元 建全球首座12英寸GaN量产厂
功率半导体巨头英飞凌10月27日宣布，将建设全球首座采用12英寸（300毫米）晶圆生产氮化镓功率半导体的大规模量产设施。按计划，英飞凌将在2034年前向奥地利菲拉赫生产基地现有的洁净室投资约11亿欧元，利用现有和现代化改造后的设施高效扩产，目标2027年底开始生产。
12英寸晶圆的账很好算：相比传统8英寸（200毫米）晶圆，更大的直径让单片晶圆产出的芯片数量提升到原来的2.3倍，生产工艺与效率同步受益。英飞凌在氮化镓功率器件领域布局已久——就在两年前，它完成了全球首批12英寸氮化镓晶圆的工艺加工；如今这一里程碑技术将转化为全球首座面向客户供货的大规模生产设施。
欧盟也在为项目背书：欧盟委员会已依据《欧洲芯片法案》批准向菲拉赫扩产计划提供3.19亿欧元国家援助，奥地利经济部门将在规定期限内履行资金承诺。英飞凌首席执行官哈内贝克表示，此举明确了公司强化欧洲半导体生态与技术主权的承诺，将为氮化镓在人工智能、能源基础设施、电动汽车和机器人等领域的广泛应用铺平道路。
氮化镓是效率的关键：它能让数据中心、能源基础设施、电动汽车、机器人和消费电子显著提升能效。据英飞凌援引的市场预测，到2031年氮化镓功率半导体市场规模预计达到约35亿欧元，是2025年的6倍。AI数据中心的爆发式用电需求，正是这波增长的核心引擎之一。
产能爬坡将根据市场需求推进。英飞凌称，通过这项投资，菲拉赫将被打造为全球功率半导体技术能力中心，公司在氮化镓功率电子领域的领先优势也将转化为客户可以直接获得的价值。
编译自 英飞凌官方新闻稿，原标题："Infineon to establish the world's first high-volume manufacturing facility for gallium nitride power semiconductors"
