特斯拉公布SI芯片路线图 算力剑指80倍

特斯拉披露了修订后的 AI 加速器路线图，其推断芯片全线改用「SI」命名体系。这一变化的背景是「超级智能」（Super Intelligence）一词正取代「人工智能」成为官方提法，马斯克此前已确认将 SpaceXAI 更名为 SpaceXSI，特斯拉的芯片命名随之统一到 SI 序列：现役的 AI4 芯片如今改称 SI4。

按照官方数据，第五代 SI5 芯片算力较 SI4 提升 40 倍，配备 96GB 内存，采用 3nm 与 2nm 工艺制造，目前已接近量产，功耗视应用场景在 250 瓦至 800 瓦之间。第六代 SI6 的目标则更为激进：算力达 SI4 的 80 倍、内存容量 8 倍（144GB），峰值算力估算在 17280 至 46080 TOPS 之间，采用 2nm 级工艺，预计 2029 至 2030 年问世。特斯拉已与三星代工签订将 SI6 生产延续至 2033 年的协议。

路线图中最引人注目的是训练芯片 Dojo D3 的重新出现。马斯克曾在 2025 年 8 月砍掉整个晶圆级 Dojo 项目，又在今年 8 月表示 SpaceX 和 xAI 将全面使用英伟达硬件，如今第三代训练加速器却以全新架构回归：放弃以 SRAM 为中心的晶圆级集成设计，转向多芯粒架构，结合 2.5D 与 3D 封装技术并堆叠 HBM 高带宽内存。

特斯拉称 D3 将面向「太空、训练与扩展」优化，意味着部分型号可能针对地外数据中心做抗辐射处理。公司尚未披露 D3 的性能、内存容量、制造工艺和开发时间表。内存架构的转变也从侧面承认了晶圆级方案在容量上的短板——现代大模型的参数、激活值和中间数据对内存的需求，SRAM 已难以满足。

这套路线图的最终受益者是特斯拉的完全自动驾驶系统 FSD 与未来的人形机器人：车端算力每一代的跃升，都直接决定了模型在车内的运行上限。当然，特斯拉芯片路线图历来有跳票传统，80 倍算力目标能否如期兑现仍需观察。

编译自 Tom's Hardware，原标题："Tesla unveils AI accelerator roadmap, adopts new 'SI' branding in 'Super Intelligence' push"