QLC闪存的救星来了：这下子再也不怕短命了
消息来源:baojiabao.com 作者: 发布时间：2026-08-11
无论大家能否接受，TCL闪存已经成为绝对主流，QLC闪存也即将普及，因为它可以带来更高的存储密度、更低的制造成本，这都是厂商最喜欢的，尽管寿命再次大减，目前看正常情况下只有大约1000次编程/擦写循环，平均两三天才能一次全盘写入。
类似TLC，主控厂商们也需要为QLC闪存设计各种纠错辅助机制，来延长其寿命。群联电子就特别针对QLC闪存，推出了第四代数据纠错保护机制Smart ECC。
群联电子表示，有了Smart ECC，当数据被写入NAND闪存内部时，主控会同时生成一组校正码，与数据一起存入，而当数据从NAND闪存读回时，如果发生错误，主控会借助校正码来更正数据。
如果校正码也无法恢复，数据就会进入Smart ECC的补救流程，借助特别设计的Smart ECC算法来尝试修正，进一步提升数据的可靠性。
群联电子同时宣布，旗下包括USB、存储卡、eMMC/UFS、SSD等闪存主控，都已经全面支持QLC闪存。
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