纳微半导体发布全新 GaNFast 氮化镓功率芯片：采用 GaNSense 技术，有效解决适配器发热问题

最新 11 月 18 日消息，近期纳微半导体宣布，采用全新 GaNSense 技术的 GaNFast 氮化镓功率芯片已正式发布。这也是全球首款智能 GaNFast 氮化镓功率芯片，它将能更有效地解决适配器的发热问题，同时还能继续保持安全、稳定、高功率的充电体验，让原来采用 GanFast 氮化镓功率芯片的充电器使用体验得到进一步提升。

此外，如果氮化镓功率芯片识别到有潜在的系统危险，该芯片将迅速过渡到逐个周期的关断状态，以保护器件和周围系统。GaNSense 技术还集成了智能待机降低功耗功能，在氮化镓功率芯片处于空闲模式时，自动降低待机功耗，有助于进一步降低功耗。

凭借严格的电流测量精度和 GaNFast 响应时间，GaNSense 技术缩短 50% 的危险时间，危险的过电流峰值降低 50%。GaNFast 氮化镓功率芯片单片集成提供了可靠的、无故障的操作，没有"振铃"，从而提高了系统可靠性。

最新获悉，采用 GaNSense 技术的新一代纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片有十个型号，都集成了氮化镓功率器件、氮化镓驱动、控制和保护的核心技术，所有产品的额定电压为 650V/800V，具有 2kV ESD 保护。新的 GaNFast 功率芯片的 RDS (ON) 范围为 120 至 450 毫欧，采用 5 x 6 mm 或 6 x 8 mm PQFN 封装，具有 GaNSense 保护电路和无损电流感应。

作为纳微第三代氮化镓功率芯片，针对现代电源转换拓扑结构进行了优化，包括高频准谐振反激式（HFQR）、有源钳位反激式（ACF）和 PFC 升压，这些都是移动和消费市场内流行的提供最快、最高效和最小的充电器和适配器的技术方法。

截止至 2021 年 10 月，纳微半导体已出货超过 3000 万颗纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片，在现场测试实现了超过 1160 亿个设备小时，并且没有任何关于 GaN 现场故障的报告。

与传统的硅功率芯片相比，每颗出货的 GaNFast 氮化镓功率芯片可以减少碳足迹 4-10 倍，可节省 4 千克的二氧化碳排放。而在目标市场 -- 智能手机和笔记本电脑快充充电器市场等 -- 估计每年会有 20 亿美元的氮化镓市场机会，以及每年 20 亿美元的消费市场机会。