长江存储推出第四代 3D TLC 闪存，供应链称其堆叠层数达 232 层
8 月 3 日消息，长江存储科技有限责任公司于今日在 2022 年闪存峰会（FMS）上正式发布了基于晶栈（Xtacking）3.0 技术的第四代 TLC 三维闪存 X3-9070。相比长江存储上一代产品，X3-9070 拥有更高的存储密度，更快的 I / O 速度，并采用 6-plane 设计，让其在性能提升的同时做到了功耗更低。
自 2018 年问世以来，晶栈（Xtacking）技术已成为长江存储助推闪存行业发展的关键动力之一。在晶栈从 1.0 到 3.0 的迭代发展中，长江存储基于该技术打造了多款长江存储系统解决方案产品，包括 SATA III、PCIe Gen3、Gen4 固态硬盘，以及用于移动通信和其他嵌入式应用的 eMMC、UFS 等嵌入式存储产品。
Forward Insights 创始人兼首席分析师 Gregory Wong 表示，存储阵列和外围逻辑电路的混合键合技术对推动 3D NAND 技术发展和创新至关重要。目前，长江存储 X3-9070 已经通过美国电子器件工程联合委员会（JEDEC）定义的多项测试标准。
具体来说，长江存储 X3-9070 拥有以下优势：
性能方面：实现高达 2400MT / s 的 I / O 传输速率，符合 ONFI5.0 规范，相比上代产品提升了 50%。
密度方面：晶栈 3.0 的架构能够在更小的单颗芯片中实现 1Tb 的存储容量，这让 X3-9070 成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品。
产品体验方面：得益于创新的 6-plane 设计，X3-9070 相比传统 4-plane，性能提升 50% 以上，同时功耗降低 25%。
值得一提的是，据供应链消息，长江存储 X3-9070 堆叠层数已达到 232 层，达到业界领先水平。
了解到，SK 海力士今日宣布开发出 238 层 NAND 闪存芯片，预计明年上半年量产。此外，美光公司于 7 月 26 日宣布全球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡工厂量产，其速度提升 50%，可实现有史以来最高的 TLC 密度（14.6 Gb / mm2）。
