IDM 化合物半导体战线扩大，正转向 8 英寸晶圆厂

最新 12 月 22 日消息，据 DIGITIMES 报道，尽管 2022 年消费电子终端市场充斥库存调整等不确定性，但电力电子半导体需求在未来车、服务器领域的应用却是愈来愈广，持续推动第三类半导体如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等功率元件需求。

IDM 龙头包括罗姆（Rohm）、安森美（Onsemi）、英飞凌（Infineon）、意法半导体（STM）、Wolfspeed 等，将把化合物半导体战线从主流的 6 英寸拉往 8 英寸晶圆厂，追求成本、产能、效能的新一波战火正逐渐酝酿中。

近日各大 IDM 业者化合物半导体陆续打入车用、服务器冲电领域。如罗姆第四代 SiC MOSFET 与闸极驱动 IC，正式打入日本车用供应链如日立安斯泰莫，应用于电动车（EV）逆变器。

事实上，罗姆 2010 年开始就已量产 SiC MOSFET，相较于主流的矽基 IGBT，电耗可减少 6%，有助于 EV 续行里程。

相关业者表示，车用功率半导体目前仍是相对供需吃紧的部分，也使得台系二极管厂无不积极提升车用、工控产品比重。台系功率元件业者包括强茂、台半、德微等。

业者表示，E 宽能隙（WBG）的第三类半导体因为高功率密度特性，有助于建构更高效能、体积更小更轻的 EV 电动动力总成系统，SiC 最主要的应用范畴，就在核心的车用逆变器。

最新了解到，至于 GaN 充电元件更可从成熟的矽基制程出发，矽基氮化镓（GaN-on-Si）将是最有机会快速放大到 8 英寸甚至 12 英寸的技术，除 IDM 龙头大举进军外，台系晶圆代工厂世界先进 GaN-on-QST 技术也已逐步完备。

IC 代理业者表示，公有云、私有云快速成长，以及数据中心大量的建设，对服务器电源性能有更高需求，具有高功率密度的 GaN 元件成为服务器电源首选方案之一。

如安森美携手 IC 代理龙头大联大推出 500W 服务器电源方案，其中就是采用 GaN 元件。

上游磊芯片大厂 IQE 8 英寸化合物半导体磊芯片已经量产，后续不排除更往 12 英寸推进，IQECEOAmerico Lemos 认为，「化合物半导体将从利基走向主流」。

GaN、SiC 同步往 8 英寸推进已经是未来趋势，在各界关注的 8 英寸厂布局，罗姆、Wolfspeed、II-VI，意法等都积极进行中。值得一提的是，观察供应链与终端系统厂看法，各界通常都还是会问及「价格策略」，何时能够达到与矽基半导体同等的性价比。