三星开发三款AI定制闪存 对标海力士AIN

据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子正在扩充面向AI负载的下一代NAND闪存产品线：在已公开展示的zNAND-O之外，还在内部早期开发zNAND-T和zNAND-I两款新品，三款产品分别针对不同的AI场景优化。

三款产品的分工相当清晰。zNAND-O中的"O"代表端侧（On-device），通过硅通孔（TSV）技术把4层或8层NAND裸片垂直堆叠，缩短数据路径、提升速度和能效，目标是让AI在手机等终端上本地运行；zNAND-T主打吞吐量（Throughput），面向高容量、高性能的AI数据中心，架构与闪迪、SK海力士提出的高带宽闪存（HBF）概念相近；zNAND-I则主攻IOPS，即每秒读写次数，适配AI推理中键值缓存（KV Cache）这类需要频繁读写小数据的场景。

三星今年8月在美国加州举行的一场存储行业活动上首次展出zNAND-O概念样机，目标是把接近DRAM的速度和NAND闪存的大容量结合起来。据韩媒NewsPim报道，其比特密度目标为DRAM的10倍，读取带宽和能效达到传统NAND的7倍，计划2028年开始提供样片。

这场定制化竞赛并非三星独舞。SK海力士已于2025年下半年建立AIN（AI-NAND）产品系列，同样分三条线：AIN P主打性能，目标最高1亿次IOPS；AIN D聚焦密度，冲击PB级容量；AIN B专注带宽，与HBF概念相同。

随着大模型训练和推理对存储层级提出差异化要求，NAND闪存正从"通用介质"走向"按场景定制"。对存储厂商而言，谁能把接口、堆叠方式和封装路径一起纳入产品定义，谁就能在AI存储市场抢到身位。

编译自 Notebookcheck（源自ZDNet Korea），原标题："Bandwidth vs. IOPS vs. efficiency: Samsung develops three new types of NAND storage for AI applications"