中国创企亮出EUV光源样机 距量产还差三五年

在上海举行的第二十六届中国国际工业博览会上，成立仅两年的初创公司朗道燧岩（Langdao Silex）首次公开展出一台极紫外（EUV）光源系统样机。EUV光源是7纳米以下先进制程芯片制造的核心部件之一，也是高端光刻机长期受制于人的关键环节。现场工作人员介绍，该样机国产化率达90％，绝大多数核心零部件为自主研发，技术路线与国际领先厂商一致，已可用于芯片曝光测试。

据公司官网披露的参数，这台低功率FlintNano LPP-OXXO光源采用激光诱导等离子体（LPP）技术路线：驱动激光功率1000瓦，频率1至20kHz，转换效率大于2％，亮度达100W/mm²sr，EUV输出能量大于15瓦，可持续运行超过100小时；等离子体尺寸60微米，等离子体稳定性3％RMS，能量稳定性5％。

不过，样机与商用要求之间仍有明显差距。商用EUV光刻机需要光源输出数百瓦并长期可靠运行——ASML的250瓦光源自2018年起投入量产，目前正向1000瓦等级演进。工作人员坦言，从15瓦量级到数百瓦量级，距离量产仍需3至5年，核心挑战在于提升输出功率和长期运行稳定性，等离子体寿命、光源寿命与系统集成可靠性同样需要突破。

光源也只是起点。EUV光刻机还依赖精密光学系统、工件台与复杂的系统集成，ASML的EUV设备包含数十万个零部件，来自800多家供应商。业内评论指出，从技术路线走通到真正“能用起来”，中间还有漫长的工程化道路。

朗道燧岩成立于2024年，创始人王豪博士团队源自清华大学气体放电等离子体实验室，主攻LPP-EUV光刻光源技术，另布局大功率二氧化碳轴快流激光器（板块“辉光”）与等离子体仿真软件（板块“天算”）。融资方面，公司2025年10月获得张江高科旗下燧玥创投的天使轮，2026年1月完成天使+轮，今年7月完成A轮，投资方包括中芯聚源、沃衍资本等。

背景是：由于无法购得EUV设备，中国被迫走自研路线。今年7月路透社援引报道，中国已开始制造自研浸没式DUV光刻机，预计年内交付国内主要芯片厂商；难度更高的EUV则是下一关。高功率EUV光源的价值还不止于光刻机本体，它同样是光刻胶检测、掩膜检测等EUV生态设备的关键组成。

编译自 Tom's Hardware / TrendForce，原标题：“China startup demoes prototype EUV light source — 15W of output power and 90 Percent domestic components, still years away from viability”