英伟达立规矩 HBM基底裸片统一交台积电
报价宝综合消息英伟达立规矩 HBM基底裸片统一交台积电
英伟达给自己的定制内存立了新规矩：据知情人士透露，英伟达已要求三星、SK海力士和美光三家存储供应商，在其定制高带宽内存NVHBM的基底裸片上，统一采用台积电3纳米工艺代工。韩国《首尔经济日报》率先报道了这一消息。
NVHBM是英伟达今年8月发布的定制化高带宽内存方案，把英伟达自研的内存控制器直接整合进基底裸片，目标是统一多家内存供应商的实现方式。此番要求背后，是各家供应商制造方案各不相同，同一套设计难以保证性能一致；统一工艺标准，也能省去对每家供应商逐一验证的麻烦。除基底裸片外，英伟达还要求核心裸片统一采用第六代DRAM（1c）工艺。
三家厂商都是8月公布的NVHBM供应商，其中三星的转变最具象征意义：据报道，负责代工业务的三星设备解决方案部门经内部评估后决定接受要求，这是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。此前三星供应的所有HBM产品，从存储核心到基底裸片都是自家一手包办。
不过三星并未彻底缴械。对标准HBM产品，三星仍将维持一站式全包生产——其全球首发的第六代HBM4已量产，第七代HBM4E正在量产验证中。三星还留了后手：有业内人士透露，三星正在验证能否在自家晶圆厂生产NVHBM基底裸片，以防未来需求超出台积电产能上限。
对台积电而言，这单生意等于把三大内存巨头的定制内存前线全部揽入怀中；对英伟达而言，AI芯片最紧缺的内存供应，从此有了统一的工艺标尺。
编译自 Reuters，原标题："Nvidia asked Samsung, SK Hynix, and Micron to make base dies for its custom NVHBM memory"（首尔经济日报首报）
