三星:HBM 明年将占 DRAM 晶圆产能近三成
三星电子执行副总裁金泰宇表示,HBM预计明年将占全球DRAM晶圆总产能近30%,高于目前约20%,并将持续挤压传统DRAM供应。三星HBM月均投片量将增近四成、HBM4占比升至约80%;TrendFo
2026-09-30 科技 我要分享Rambus 推 HBM3 内存子系统:速率高达 8.4Gbps,带宽突破 1TB
8月25日报道,今天,美国内存IP厂商Rambus宣布推出HBM3内存接口子系统,其传输速率达8.4Gbps,可以为人工智能/机器学习(AI/ML)和高性能计算(HPC)等应用提供TB级带宽,是当前速
DDR内存就快死了?
这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上,紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破,小批量生产了DDR3内存,下半年还会推...
SK 海力士宣布向英伟达提供业内首批 HBM3 DRAM,带宽可达 819GB / s
SK海力士宣布公司开始量产HBM3--拥有当前业界最佳性能的DRAM。*HBM(HighBandwidthMemory,高带宽存储器):是由垂直堆叠在一起的DRAM芯片组合而成的高价值、高性能内存,其
2022-12-19 资讯 我要分享Synopsys 推出业界首个 HBM3 内存设计解决方案,带宽 921 GB/s
最新10月10日消息根据外媒techpowerup报道,美国公司Synopsys(新思)于10月9日宣布推出业界首个完整的HBM3IP内存芯片设计方案。这项技术是HBM2e的升级版,可以满足高性能计算
三星首发 HBM-PIM 内存计算技术,今年上半年可…
三星昨日宣布了一项新的突破,面向 AI 人工智能市场首次推出了 HBM-PIM 技术,据介绍,新架构可提供...
JEDEC 公布 HBM3 内存标准:带宽最高 819 GB/s,最多 16 层堆叠 64GB
最新1月28日消息,SK海力士此前率先推出了HBM3高带宽内存芯片,其采用多层堆叠方式,使用TSV硅通孔工艺制造,单片容量可达24GB,最高带宽可达896GB/s。JEDEC组织今日公布了HBM3内存
SK海力士首秀HBM3内存:轻松堆叠288GB
SK海力士日前宣布,已经全球首家研发成功新一代HBM3内存,单颗容量16/24GB,内部堆叠多达12颗芯片,而厚度只相当于A4纸的三分之一,带宽则高达819GB/s,还支持ECC。
AMD Vega等得心焦:SK海力士HBM2显存再次推迟
SK海力士今天更新了旗下部分产品的进度,其中HBM2、GDDR6两种新型高速显存最值得关注。AMD、SK海力士已经合作多年,实现了HBM高带宽显存的首发,不...
美光GDDR6内存可上20Gbps 带宽堪比HBM2显存
GDDR6显存最快会在今年下半年开始用于显卡,初期的速率不过12-14Gbps,16Gbps还需要一定时间,而美光已经在探索更一步把速率提升到20Gbps,这样一来GDDR6显存...
SK 海力士率先开发出 HBM3 DRAM 内存:单片最高 24GB,819 GB/s 带宽
最新10月20日消息,今日韩国SK海力士宣布,成功开发出业界第一款HBM3DRAM内存芯片。该产品可以与CPU、GPU核心相邻封装在一起,采用多层堆叠工艺,实现远比传统内存条高的存储密度以及带宽。目前
SK海力士更新其数据库:GDDR6/HBM2显存均在列
IT之家5月16日消息今天SK海力士更新了自家的数据库,将所有的显存参数都更新到了最新版本,当然也包括了即将发布的GDDR6显存和HBM2显存。根据SK海...
英特尔发布全球首款配备 HBM 内存的 x86 CPU:“至强 Max”Sapphire Rapids
感谢最新网友华南吴彦祖的线索投递!最新11月10日消息,英特尔今天正式推出了全球首款配备HBM内存的x86CPU--IntelXeonMax系列,也就是之前我们称之为SapphireRapids(HB
2022-12-21 资讯 我要分享


