长鑫拟小批量量产HBM3E 良率仅两三成
路透社10月28日援引两名知情人士报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）计划在未来两个月内启动HBM3E高带宽存储芯片的有限量产——即便其当前良率仅有两到三成，远低于行业领军者SK海力士约七成的水平。HBM3E是AI处理器配套的关键存储芯片，垂直堆叠多个存储晶片以实现高速数据交换。
报道说，长鑫已向多家国产AI芯片设计公司送出HBM3E样品。消息人士称，长鑫坚持推进的原因在于：在美国2024年12月收紧对华高端HBM产品出口管制后，国内AI芯片厂商难以获得足够的高端存储器，只能通过非官方渠道高价采购，扩产严重受限。低良率意味着大量芯片报废或返工，成本高企，长鑫HBM3E的定价预计也将高于海外同类产品。据悉该公司早在2024年就开始内部研发这项技术。
在测试中，长鑫HBM3E的表现更接近SK海力士上一代HBM3，而非其最新的HBM3E。知情人士透露，长鑫已向客户送出两个版本：一个标准设计，以及一个为提升良率做了改动的新版本。The Information此前率先报道了长鑫的HBM3E量产计划，路透此次则首次披露良率与交付时间表细节。
市场格局方面，据Counterpoint Research数据，今年二季度SK海力士占全球HBM收入的五成，三星占三成三，美光占一成八；长鑫则占全球DRAM收入的约十分之一，是全球第四大传统存储芯片供应商。不过受出口管制影响，长鑫获取最先进制程设备仍受限。三星今年7月已宣布扩大HBM4销售并向主要客户送出HBM4E样品——这意味着长鑫在商用HBM上至少落后一代。
存储缺货的压力已传导至整机。路透上个月报道，华为、寒武纪、沐曦、天数智芯等国产AI芯片厂商已因存储成本上涨，将现款及下一代AI芯片提价两到五成。长鑫此番顶着低良率上马，正反映国产AI算力链条对存储「卡脖子」的焦虑。
编译自 Reuters，原标题："China's CXMT to start advanced AI memory production despite poor yields, sources say"
