长鑫拟小批量量产HBM3E 良率仅两三成

路透独家：长鑫存储拟在未来两个月启动HBM3E有限量产，良率仅两三成，远低于SK海力士约七成的水平，性能接近其上一代HBM3。在美对华HBM出口管制下国产AI芯片存储短缺，长鑫顶着高成本坚持推进。

2026-10-28 科技 我要分享

长鑫LPDDR4X内存新消息：国产二线品牌手机或率先采用

长鑫LPDDR4X内存新消息：国产二线品牌手机或率先采用据消息人士透露，位于合肥的长鑫存储公司（CXMT）正在LPDDR4X低功耗内存的研发上取得进展，它将吸引国产...

2019-12-27 数码 我要分享

长鑫LPDDR4X内存取得进展：国产二线品牌手机或…

据消息人士透露，位于合肥的长鑫存储公司(CXMT)正在LPDDR4X低功耗内存的研发上取得进展，它将吸引国...

2019-12-27 综合 我要分享

亚洲芯片股遭抛售 SK海力士大跌逾8%

华尔街半导体抛售潮周二蔓延至亚洲市场：SK海力士重挫超8%，三星电子跌6.7%，软银集团大跌8.8%，东京电子、爱德万测试等芯片设备股全线走低。AI融资前景担忧叠加竞争加剧，是本轮调整的主要诱因，投资

2026-10-13 科技 我要分享

长鑫前三季净赚1310亿 股价却跌逾6％

国产DRAM龙头长鑫科技预告前三季度净利润1310亿元至1325亿元，同比扭亏为盈，第三季度日均盈利近6亿元。但股价周一不涨反跌，盘中一度跌超8％，市值跌破3万亿元。市场担忧其盈利环比增速骤降至个位数

2026-10-19 科技 我要分享

长鑫科技349亿元加码DRAM研发与测试

长鑫科技公告拟用超募资金130亿元投建技术研发项目，并向子公司增资借款50亿元投建存储器晶圆后道测试基地二期，两项目规划总投资349亿元。公司上半年营收1503亿元、净利润776亿元，全球DRAM份额

2026-09-30 科技 我要分享

分析师：DRAM 内存、3D NAND 闪存布局百家争鸣，长鑫、长江存储进展迅速

7月5日，知名半导体分析机构TechInsights举办了线上"存储半导体进展与融合挑战：DRAM和NAND"（MemoryProcessandIntegrationChallenges:DRAM&N

2022-12-19 资讯 我要分享

国产自主芯片重大突破 长鑫储存掌握生产DRAM芯片技术

前言：众所周知，半导体芯片领域作为我国科研领域的软肋，可谓是国产自主化的痛点，即便是华为等国内科研企业巨头仍在芯片及其关键零部件上受制于人。最近，我国本土企业长鑫储存传来捷报，自研DRAM芯片成功，这实现了我国有自主知识产权的DRAM内存储芯片零的突破，为…

2019-12-24 科技 我要分享