长鑫科技349亿元加码DRAM研发与测试

刚交出历史级半年报的国产存储龙头，又把手里的钱投回了产线。长鑫科技（688825）9月29日公告：拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目；同时通过增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（合肥）提供超募资金50亿元，由其投建「存储器晶圆后道测试基地二期项目」。两个项目的规划总投资额分别为241亿元和108亿元，合计349亿元。

钱具体花在哪，公告写得很细。研发项目总投资241亿元，其中设备购置费就占223.98亿元（92.94%），建设期30个月，聚焦DRAM芯片工艺迭代、性能升级与新技术研发。测试基地二期总投资108亿元，建设投资100亿元（92.59%），建设期37个月，将建一座测试工厂，承担DRAM存储芯片的测试与模组组装。公司给出的理由相当坦率：随着产能持续释放、产品种类增多，外部封测厂的测试产能与配套已经跟不上，自建测试产能才能更灵活地调配、压低测试成本，也是把IDM（垂直整合制造）模式最后一块短板补齐。

资金来源全部是超募资金。长鑫科技IPO最终募资净额663.10亿元，超募资金368.10亿元，此前一直未动用；本次拟使用180亿元，约占超募规模的一半。这笔账的打法很传统：没有新增债务，也没有稀释股东。

敢这么投，是因为业绩足够硬。2026年半年报显示，公司上半年营业收入1503.10亿元，同比增长873.64%；归母净利润776.05亿元，而去年同期还亏损23.32亿元；主营业务毛利率84.84%；经营活动现金流净额1311.56亿元，同比增长近30倍。更关键的是环比曲线——一季度净利247.62亿元，二季度528.43亿元，环比增长113%，说明涨价带来的利润仍在加速释放而非见顶。

这轮景气来自AI算力的挤出效应：三星、SK海力士、美光把产能向HBM和服务器DDR5倾斜，通用存储产品留下结构性空缺。据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高；长鑫存储的份额已逼近10%，稳居全球第四，季度销售收入环比增幅位列全球第一。技术上，公司第五代DRAM工艺平台已于9月量产，依托四重曝光把内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米；上半年研发投入68.59亿元，同比增长87.38%，241亿元的新项目相当于这笔投入的3.5倍。

产业链下游同日给出佐证：兆易创新公告，将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度从57.11亿元上调至78.54亿元，原因是DRAM产品代工价格随行情上行。在存储被普遍视为未来两年最确定紧缺环节的当下，长鑫选择用利润换产能、用现金流换时间。

编译自 DIGITIMES，原标题："CXMT's US$5.2 billion buildout deepens China's push for domestic DRAM equipment"