前言：众所周知，半导体芯片领域作为我国科研领域的软肋，可谓是国产自主化的痛点，即便是华为等国内科研企业巨头仍在芯片及其关键零部件上受制于人。最近，我国本土企业长鑫储存传来捷报，自研DRAM芯片成功，这实现了我国有自主知识产权的DRAM内存储芯片零的突破，为我国建立芯片领域自主化迈出了成功的第一步。

长鑫储存技术（Changxin Memory Technologies，简称CXMT，前身为合肥睿力积体电路（Innotron Memory，又称合肥长鑫））。2016年在安徽省合肥市-等的支援下成立，是国内三家国家战略级储存芯片公司之一，其和福建晋华、长江储存被合称为中国制造2025计划的3大半导体产业国家队。

DRAM芯片负责临时储存资料，其经过不同设计后被广泛应用在膝上型电脑、智能手机、资料中心服务器、联网汽车等数以亿计的智慧装置上。由于对技术要求比较高，目前全球95%以上的市占率被韩国三星电子、韩国SK海力士、美国美光科技三家企业所占据。我国本土企业之前虽也能够生产可供家电装置等使用的廉价普通芯片，却一直未掌握生产DRAM芯片等高阶半导体的相关技术。

近年来，合肥长鑫公司为了生产可应用于移动装置上的DRAM芯片，进行了价值人民币550亿元的资金投资来实现建厂。长鑫今年的资本支出将达10亿至15亿美元，已超越全球第四大DRAM制造商南亚科技去年的6.5亿美元支出。如今资本投资取得回报，据相关报道，我国本土企业长鑫储存计划将于年内开始量产动态随机存取内存（DRAM），其有望于今年底至2020年初实现量产。

DRAM芯片

据悉，长鑫储存的DRAM设计主要基于德国芯片厂商英飞凌旗下DRAM大厂奇梦达（Qimonda，该公司已于2009年破产）技术。但目前世界顶尖半导体厂商生产中仍需用到美国装置、原料及成套的电子设计自动化工具，很难完全避开。对此长鑫也未能避免，目前该公司仍需使用美国装置大厂（如Applied Materials、Lam Research 及KLA-Tencor）和电子设计自动化（EDA）工具供应商（如Cadence 及Synopsys）产品来实现生产芯片，也需靠Dow Chemical提供原料。不过长鑫储存正重新设计自有的DRAM，以使其让生产过程中使用到的美国技术最小化，避免侵权和成为美国科技界打击的物件。

现今，长鑫正在合肥斥资80 亿美元打造一座DRAM芯片制造厂，预计今年底前投产这些关键的储存体零件，最初每月预计可生产约1万片晶圆，虽不足全球产量的1%，但对还没有目前本土还未有自制DRAM芯片的我国来说，成功量产就是迈出了科技自立的一大步。长鑫储存如若年底成功实现量产，可谓意义重大，将成为我国首家未来有望和三星电子、美光科技和SK海力士三大DRAM钜子一较高下的本土企业。要知道，去年全球DRAM市场总价值达996.5亿美元，然而三星电子（韩国）、SK海力士（韩国）、美光科技（美国）等三大厂却占据全球95%产量。

长鑫储存的大型产业园区

​目前我国已将半导体产业定位为国家重点扶持产业。2018年本土半导体类芯片国内自给率为15%左右，我国目标是到2020年将自给率提高至40%，到2025年提高至70%。

结语：科技自立是中华民族的普遍希望，为了实现半导体国产化的夙愿，我国几代科研工作者展现出毫不松懈的态度。然而由于多年来在相关产业链上的缺失，以及高阶半导体芯片技术难度极高，目前国产自研芯片自给率整体低下，长鑫储存的自主知识产权的DRAM生产能力建设，未来必会成为我国建立自有芯片产业链上的关键一环。您对未来国内芯片发展自主化的未来有什么看法，欢迎留言谈谈您的观点。

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