英伟达HBM策略生变 三星海力士将量产8层HBM4
英伟达的HBM采购策略出现重要转向。据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星电子与SK海力士已把面向英伟达的8层HBM4量产和出货时间定在明年第二季度左右——而按照原计划，8层产品根本不在供应清单里。
背景是英伟达正在调整下一代AI加速器Rubin Ultra的内存配置。Rubin Ultra原本计划搭载第七代HBM4E 12层产品，但从今年第三季度起，英伟达开始并行评估多种方案，包括HBM4E 8层、HBM4 12层和HBM4 8层。知情人士称，英伟达将根据Rubin Ultra所对应的NVL机架规模，混合搭配8层HBM4与8层HBM4E；今年仍以12层HBM4为主，从明年年中开始，8层产品的比重将显著扩大。
转向的直接原因有三个：散热、良率和供应稳定性。HBM4的输入输出接口宽度比上代翻倍至2048位，堆叠层数越高，热密度和散热压力越大；堆叠层数越高，制造环节的累计损耗也越大，12层良率提升明显更难。此外，2027年DRAM供应整体偏紧，降低单堆叠层数意味着同样一片晶圆能切出更多HBM堆栈，可以交付更多GPU。
供应链层面，三星与SK海力士已完成英伟达对12层HBM4的认证，但8层产品需另行认证，两家公司正在为明年的物料采购和质量测试做准备。知情人士称，8层认证难度低于12层，出现额外变数的可能性较低；此前市场曾预期8层产品最早今年下半年就能供货，实际日程有所推迟。
对两家韩系存储巨头而言，这是HBM4世代竞争的新变量：SK海力士需要在不丢12层优势的前提下分配好8层产能，三星则有机会借8层量产节点争取更有利的身位。而对英伟达来说，在算力需求高烧不退的当下，每一点良率和供应弹性的改善，都直接决定明年AI芯片的交付规模。
编译自 CFM闪存市场（转引 ZDNet Korea），原标题："英伟达HBM策略生变：三星、SK海力士明年Q2大规模量产8层HBM4"
