三星：HBM 明年将占 DRAM 晶圆产能近三成

存储行业正在发生一场「虹吸」：产能被 AI 整体抽走。据路透社报道，三星电子执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占据全球 DRAM 晶圆总产能的近 30%，明显高于目前约 20% 的水平。由于 HBM 与普通 DRAM 共用同一批晶圆产能，HBM 的持续扩产，将直接挤压传统 DRAM 的供应空间。

三星自身的扩产力度同样可观。据业内估算，三星 HBM 的月均晶圆投入量，将从今年的约 18 万片提升至 2027 年的约 25 万片，增幅接近四成；产品结构上，随着 HBM4E 逐步量产，HBM4 系列预计将占三星明年 HBM 出货量的约 80%，远高于今年的约 40%。高单价产品的权重显著上升，会进一步抬升整体售价中枢。

真正让下游紧张的，是 HBM 对晶圆的「吞食」效应。同等容量下，一颗 HBM 消耗的晶圆面积约为普通 DRAM 的三倍——单颗 HBM 裸片所占面积，大体相当于生产 3GB DDR5 所需的面积。这意味着，当 HBM 的产能占比从 20% 升到 30% 时，传统 DRAM 实际受到的排挤幅度，可能是这一比例变化的数倍。对依赖普通内存的手机、PC 与服务器来说，供应收紧的压力比表面数字更明显。

价格预期也随之被上修。市场研究机构 TrendForce 同日把 2027 年 HBM 价格展望大幅调高，预计混合平均售价（Blended ASP）将同比上涨 121%，理由是供应持续受限、高价 HBM4 占比提升，以及 HBM4E 在 2027 年下半年逐步放量。此前它已测算，服务器 DRAM 合约价在 2026 年全年累计涨幅约 270%。当三星、SK 海力士与美光这三家掌握全球 95% 以上 DRAM 产能的厂商，把越来越多的晶圆切给 AI 加速器的「显存」，被挤压的不只是竞争对手，还有消费级市场的每一台设备。

编译自 Reuters，原标题："Samsung executive says HBM will take nearly 30% of DRAM capacity next year"