美光G11闪存破400层 密度翻倍
报价宝综合消息美光G11闪存破400层 密度翻倍
美光当地时间周二举行2026年度技术网络研讨会，一次性披露了闪存与内存的多年路线图，其中最受关注的，是跳过G10世代、直接登场的G11 NAND。
官方资料显示，G11堆叠层数突破400层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有276层G9的两倍，I/O速率最高可提升1.5倍，每比特数据传输能耗还能再降四分之一以上，计划2027年下半年开始产能爬坡。G11之后，美光还计划导入突破性的高迁移率材料，打造超密集单元架构并强化节能属性。
面向AI数据中心，美光规划了两类NAND产品：一类基于SLC，面向GPU直连场景优化IOPS性能；另一类主打带宽优化，思路与HBF定义类似。
内存侧同样有大动作。美光预计2028年随标准HBM5一起，还将有两款3D堆叠内存问世：vHBM相当于3D集成版HBM，把DRAM裸片、基础裸片与XPU逻辑芯片垂直堆叠，进一步缩短数据通路、提升带宽效率；vEIM则瞄准端侧AI推理，初代产品目标带宽2TB/s、能效低于每比特1皮焦。两者都将采用无凸点混合键合技术并集成散热方案。
基础DRAM方面，美光判断探索二十多年的4F²架构因复杂度与成本问题没有可行的规模化路径，未来押注3D DRAM：1δ节点正在良率爬坡、可带来约两成半的密度提升，1ε节点引入晶圆键合，亚10nm级ζÅ节点已导入High NA EUV光刻。
编译自 Micron 2026年度技术研讨会资料，经 IT之家 报道核实
