美光G11闪存层数破400 密度翻倍

美光在本周的技术与产品路线图活动上披露了下一代3D NAND闪存G11的指标：堆叠层数超过400层，位密度达到每平方毫米42Gb，接口速率最高5400MT/s，计划于2027年下半年进入量产。

与当前一代G9（N160）相比，G11给出三项承诺：存储密度约翻倍（3D TLC从每平方毫米21Gb提升到42Gb）、输入输出性能提升最多五成（从3600MT/s到5400MT/s）、每比特数据传输能耗下降超过四分之一。这一密度与速率组合，已经压过铠侠BiCS10与三星V10的公开指标。

最大的工艺变化是晶圆对晶圆键合。过去美光连续几代采用阵列下CMOS架构，把存储阵列与外围电路做在同一套流程里；G11改为把存储阵列做在一片晶圆上，把外围逻辑与输入输出电路放在另一片晶圆上用逻辑工艺制造，再把两片键合起来。这样阵列与逻辑可以各自优化，不必互相迁就。

美光总裁兼首席技术与产品官斯科特·德波尔（Scott DeBoer）在活动上说，公司此前多次表示会在成本合算、且能带来当时产品规格所需能力的时候引入晶圆键合，“对这项技术来说，现在正是合适的时机”。他称G11是“全球最先进的NAND”，将在明年下半年爬坡量产。这一路线与长江存储此前采用的键合方案方向一致。

除键合之外，G11的关键升级是层数跨过400层门槛。美光没有披露有效字线层数与堆叠数量，只表示其存储单元间距将达到行业领先水平——这意味着密度提升既来自更高的堆叠，也来自更小的单元尺寸。公司计划在2027年临近量产时公布更多技术细节。

G11之后，美光的路线图不再单纯依赖堆层。德波尔说，公司将在X、Y、Z三个方向同时微缩，重点投入高迁移率新材料、更高密度的单元架构，以及更高效的器件与数据通路，以改善晶体管特性、继续缩小单元尺寸并降低数据搬运的能耗。这与行业整体趋势一致：随着层数攀升，制造工艺、结构控制与成本压力都在放大，单纯堆高的边际收益在下降。

对终端用户来说，G11最直接的意义是未来固态硬盘有望在同样尺寸里塞进两倍容量，同时接口带宽更高、每比特更省电。按当前节奏，相关产品最早要到2027年底才可能出现在企业级与高端客户端市场上。

编译自 Tom's Hardware，原标题："Micron's next-generation 3D NAND to double bit density with over 400 layers, offering extreme performance — G11 3D NAND promises 42 Gb/mm2 and blistering 5,400 MT/s interface speed"