美光G11闪存层数破400 密度翻倍
美光披露下一代3DNAND技术G11：堆叠超过400层，位密度从每平方毫米21Gb升至42Gb，接口速率由3600MT/s提升到5400MT/s，并首次采用晶圆对晶圆键合工艺，计划2027年下半年量产
2026-10-24 科技 我要分享
芯睿科技新建千级超净车间开工，将研发生产大尺寸 / 激光键合设备
最新12月17日消息，据苏州纳米城发布，芯睿科技近期在苏州工业园区举行新建千级超净车间及办公室开工仪式。该项目占地面积约4000m²，将用于大尺寸键合设备、激光键合设备的研发生产。芯睿科技成立于202
2022-12-21 资讯 我要分享电科装备 48 所 / 2 所申报的第三代半导体装备项目获国家科技部立项
最新12月15日消息，据电科装备发布，电科装备48所第三代半导体装备研发取得重大突破，牵头申报的"大尺寸超高真空分子束外延技术与装备"项目，获得国家科技部"高性能制造技术与重大装备"重点专项立项。分子
2022-12-21 资讯 我要分享赛微电子拟新建 8 英寸晶圆级封装测试规模量产线，开展共性关键单点工艺技术研发
2月6日，赛微电子发布关于控股子公司与北京怀柔经信局签署《合作协议》的公告。2022年1月29日，赛微电子控股子公司海创微芯与北京市怀柔区经济和信息化局（以下简称"怀柔经信局"）签署了《合作协议》，双
三星将 BSPDN 技术用于 2nm 芯片，进一步提高 44% 性能及 30% 效率
最新10月13日消息，TheLec报道称，三星正计划使用一种称为背面供电网络(BSPDN)的技术来开发2纳米，而该技术其实是上周刚刚由研究员ParkByung-jae在三星SEDEX2022上推出的一
2022-12-21 资讯 我要分享
美光G11闪存破400层 密度翻倍
美光在2026年度技术研讨会上预告G11NAND：堆叠超400层、密度约为现有G9的两倍，2027年下半年产能爬坡；2028年还将推出vHBM与端侧推理vEIM，并确认4F²DRAM无规模化路径，未来
2026-10-22 科技 我要分享赛微电子：拟 51 亿元投建 12 英寸晶圆 MEMS 制造线项目
1月3日晚间，赛微电子(300456)发布公告称，公司与合肥高新区管委会签署了《合作框架协议》，拟在合肥高新区投资建设12吋MEMS制造线项目，总投资51亿元，拟建设一座设计产能为2万片/月的12吋M
Yole：中国大陆存储芯片厂商极大地推动了本土封测厂的繁荣
Yole最近的研究报告指出，中国大陆市场存储芯片的崛起、倒装芯片DRAM和3D堆叠技术的发展，将会给本土封装厂商带来重大利好。数据显示，从市场份额来看，2020年到2026年，整体存储封装市场将以7%
国产光刻机第一股：华卓精科科创板过会，与清华共享专利
芯东西9月17日报道，今天，北京华卓精科科技股份有限公司（以下简称"华卓精科"）于科创板成功过会。华卓精科主营业务为超精密测控设备，产品包括精密运动系统、光刻机双工件台模块、静电卡盘、晶圆级键合设备、
盛美半导体首台 12 英寸单晶圆薄片清洗设备提…
1月14日消息 盛美半导体官方发布，1 月 8 日，盛美半导体首台应用于大功率半导体器件制造的新款 12 ...
富士康首座晶圆级封测厂在青岛投产，装配国产光刻机
最新11月26日消息，据富士康官微消息，今日上午，富士康半导体高端封测项目投产仪式在青岛西海岸新区举行。伴随着首条晶圆级封装测试生产线顺利启动，项目正式进入生产运营阶段。富士康表示，该项目是富士康科技
火拼先进封装！台积电英特尔三星急了
芯东西3月17日报道，本周二，英特尔宣布在欧盟投资超过330亿欧元，除了芯片制造外，还将在意大利投资高达45亿欧元的后端制造设施。据悉，该工厂将"采用新技术和创新技术"为欧盟提供产品。事实上3月以来，
中国首款长江存储64层3D NAND闪存量产
紫光集团旗下长江存储在ICChina2019前夕宣布，公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256GbTLC3DNAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。...
中电科电子装备：引领芯片高端装备迈向新征程
日前，中电科电子装备集团有限公司（简称“电科装备”）传来好消息：电科装备自主研发的多台12英寸离子注入机进入北京中芯国际生产线量产，量产工艺覆盖至28n...
